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龙图腾网恭喜中国科学院西安光学精密机械研究所申请的专利一种近红外单光子阵列探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230800B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310169970.3，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权一种近红外单光子阵列探测器及其制备方法是由王兴;乔凯;尹飞;郭可飞;汪韬;李鸣设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种近红外单光子阵列探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种近红外单光子阵列探测器及其制备方法，用于解决现有的单光子阵列探测器制备工艺复杂且防串扰隔离效果较差等技术问题。本阵列探测器包括衬底层、设置在衬底层上表面的外延层和设置在衬底层下表面的减反层；外延层包括自下而上依次生长的缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层和帽层；缓冲层靠近衬底层；帽层远离电荷层的一侧设有钝化层；钝化层上间隔均布多个第二电极窗口和多个第三电极窗口，每个第二电极窗口内侧设有像元阳极金属电极，每个第三电极窗口内侧设有隔离区电极；帽层与第二电极窗口外侧围成有源扩散区，与第三电极窗口之间围成扩散隔离区；扩散隔离区均为台阶结构，其深度与有源扩散区的深度相同。

本发明授权一种近红外单光子阵列探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种近红外单光子阵列探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，在准备好的衬底层（2）上表面依次生长出外延层（3），所述外延层（3）包括由下至上依次生长的缓冲层（31）、吸收层（32）、渐变层（33）、电荷层（34）和帽层（35）；步骤2，在帽层（35）上表面通过ALD薄膜沉积工艺生长出钝化层（4）；步骤3，将衬底层（2）和外延层（3）固定在支撑装置上，并将衬底层（2）的下表面减薄；步骤4，采用PECVD气相沉积法在衬底层（2）的下表面生长出减反层（1）后，将生长出减反层（1）的衬底层（2）和外延层（3）从支撑装置上剥离并清洗；步骤5，在钝化层（4）上光刻多个间隔分布的第二电极窗口（41）和多个第三电极窗口（43）；步骤6，在第二电极窗口（41）和第三电极窗口（43）的外侧分别加工出台阶结构的有源扩散区（36）和台阶结构的扩散隔离区（37），所述有源扩散区（36）和扩散隔离区（37）的底部均位于帽层（35）内；具体为：6.1，通过湿法腐蚀工艺，分别将第二电极窗口（41）和第三电极窗口（43）的外侧腐蚀至与之相邻的帽层（35）的上表面；6.2，通过等离子刻蚀工艺，从步骤6.1所述帽层（35）的上表面进行刻蚀，刻蚀深度为0.5~2.0μm；6.3，采用湿法腐蚀工艺对步骤6.2的刻蚀区域进行快速处理，进而降低表面粗糙度；6.4，通过闭管式Zn扩散工艺，分别在第二电极窗口（41）和第三电极窗口（43）的外侧与帽层（35）之间加工出台阶结构的有源扩散区（36）和扩散隔离区（37）；步骤7，洗去原有的钝化层（4），并在帽层（35）表面、有源扩散区（36）和扩散隔离区（37）内再次生长出钝化层（4）；步骤8，分别在第二电极窗口（41）和第三电极窗口（43）内侧采用电子束蒸发工艺制备像元阳极金属电极（42）和隔离区电极（44）；步骤9，在减反层（1）上分别光刻出间隔分布的第一电极窗口（12）和像元入射窗口（11）；步骤10，采用湿法腐蚀工艺，将第一电极窗口（12）腐蚀至衬底层（2）的下表面；步骤11，在第一电极窗口（12）内制备出像元阴极金属电极，并对其进行快速退火处理后，即得到近红外单光子阵列探测器。

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