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龙图腾网恭喜维尔威泰克有限责任公司申请的专利用于电子增强材料处理的电子偏置控制信号获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118679860B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202380020302.2，技术领域涉及：H05H1/46；该发明授权用于电子增强材料处理的电子偏置控制信号是由斯图尔特·弗朗西斯·桑多;萨米尔·约翰·安茨;大卫·欧文·马戈莱斯;威廉·安德鲁·戈达德设计研发完成，并于2023-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于电子增强材料处理的电子偏置控制信号在说明书摘要公布了：提出了用于使用DC等离子体中精确受控的电子的晶片级波进行材料处理的系统和方法。将放置在DC等离子体的正柱中的台的顶部的衬底的表面浮动电位调整并保持为参考电位。以参考电位为参考的周期性偏置信号电容性地耦接至台，以根据以下来控制衬底处的表面电位：激活阶段，该激活阶段用于向DC等离子体中的自由电子提供动能，以激活衬底的表面处的目标键；中和阶段，该中和阶段用于排斥来自衬底的表面的自由电子；以及初始化阶段，该初始化阶段用于恢复表面浮动电位的初始条件。

本发明授权用于电子增强材料处理的电子偏置控制信号在权利要求书中公布了：1.一种用于处理衬底的直流DC等离子体处理系统，包括：DC等离子体反应室110，所述DC等离子体反应室被配置成容纳在所述DC等离子体反应室110的阳极A与阴极C之间生成的DC等离子体；衬底支承台S，所述衬底支承台布置在所述DC等离子体反应室110的容纳所述DC等离子体的正柱的区域G3中，由导电材料制成的参考板R，所述参考板布置在所述DC等离子体反应室110的容纳所述DC等离子体的所述正柱的区域G3中，使得在所述参考板R的表面处产生的第一表面电位VR等于在所述衬底支承台S的表面处产生的第二表面电位VFP，所述第一表面电位和所述第二表面电位VR，VFP基于所述DC等离子体的在所述正柱中的电位VPP；以及控制电子器件320，所述控制电子器件被配置成测量所述第一表面电位VR并相应地调整所述阳极A的电位VA，以将所述第二表面电位VFP调整为参考电位；以及电容性地耦接至所述衬底支承台S的偏置信号发生器480，所述偏置信号发生器480被配置成生成具有以所述参考电位为参考的电压的周期性偏置信号Vt，所述周期性偏置信号（Vt）包括：具有正电压VB的激活阶段ΔTBP；具有负电压VBN的中和阶段ΔTBN；以及具有零电压的初始化阶段ΔTBP。

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