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龙图腾网恭喜深圳市思远半导体有限公司申请的专利NMOS开关管的开关电路、控制方法及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117134761B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311170885.5，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权NMOS开关管的开关电路、控制方法及芯片是由罗冬哲;蔡月冰;刘勇设计研发完成，并于2023-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本NMOS开关管的开关电路、控制方法及芯片在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了NMOS开关管的开关电路、控制方法及芯片，NMOS开关管的源极用于输入输入电压、漏极用于输出输出电压。当需要控制NMOS开关管关断时，控制模块控制钳位开关导通，且电荷泵以维持电流向NMOS开关管的栅极进行充电，以使钳位电路导通，钳位电路以输入电压为基准，将NMOS开关管的栅极钳位在使NMOS开关管处于关断状态的电压。当需要控制NMOS开关管导通时，控制模块控制钳位开关关断，以使钳位电路关断，钳位电路停止对NMOS开关管的栅极的钳位，电荷泵以开启电流向NMOS开关管的栅极进行充电，以控制NMOS开关管导通，从而输出输出电压。本实施例能提高NMOS开关管的开启速度。

本发明授权NMOS开关管的开关电路、控制方法及芯片在权利要求书中公布了：1.一种NMOS开关管的开关电路，包括电荷泵和NMOS开关管，其特征在于，还包括钳位电路、开启度检测电路和控制模块，所述钳位电路包括钳位开关；所述NMOS开关管的源极连接输入端用于输入输入电压、漏极连接输出端用于输出输出电压；所述钳位电路一端连接所述NMOS开关管的栅极、另一端连接所述输入端；所述开启度检测电路包括检测开关、第一检测PMOS管、第二检测PMOS管和检测电阻；所述第一检测PMOS管的源极连接所述NMOS开关管的栅极，所述第一检测PMOS管的漏极分别与自身的栅极、以及所述第二检测PMOS管的源极连接，所述第二检测PMOS管的栅极连接所述NMOS开关管的源极，漏极通过所述检测开关连接所述检测电阻的一端，所述检测电阻的另一端接地；当需要控制所述NMOS开关管关断时，所述控制模块控制所述钳位开关导通，且所述电荷泵以维持电流向所述NMOS开关管的栅极进行充电，以使所述钳位电路导通，所述钳位电路以所述输入电压为基准，将所述NMOS开关管的栅极钳位在使所述NMOS开关管处于关断状态的电压；当需要控制所述NMOS开关管导通时，所述控制模块控制所述钳位开关关断，以使所述钳位电路关断，所述钳位电路停止对所述NMOS开关管的栅极的钳位，所述电荷泵以开启电流向所述NMOS开关管的栅极进行充电，以控制所述NMOS开关管导通，从而输出所述输出电压；其中，所述维持电流小于所述开启电流。

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