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龙图腾网恭喜北京航空航天大学申请的专利一种耐高温长寿命热阻涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116180019B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310023713.9，技术领域涉及：C23C14/30；该发明授权一种耐高温长寿命热阻涂层及其制备方法是由郭洪波;何雯婷;高雨毅设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种耐高温长寿命热阻涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低成本、耐高温、长寿命热阻涂层的制备方法及制备的涂层，包括在高温合金基底表面制备金属粘结层；采用电子束物理气相沉积工艺在得到的金属粘结层表面制备具有“Z”字型结构的陶瓷内层；采用EB‑PVD工艺在得到的陶瓷内层表面制备具有“Z”字型结构低红外发射率层。本发明方法制备的涂层克服上述现有技术所制备涂层发射率高、抗热循环性差、成本高等问题，在1000℃以上具有良好的稳定性，3‑5μm红外发射率低至0.3，1000℃热导率低至0.8wm*k，且热循环性能优异、成本低。

本发明授权一种耐高温长寿命热阻涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种热阻涂层，其特征在于，所述热阻涂层制备方法包括如下步骤：1在高温合金基底表面制备金属粘结层；2采用电子束物理气相沉积方法在步骤1得到的金属粘结层表面制备陶瓷内层，制备时将基底相对轴向蒸汽流倾斜一定角度θ，使得柱状晶沿与基板呈一定角度的方向生长，沉积一段时间后，将基板旋转至-θ角度方向，并沉积相同时间，由此获得“Z”字型结构的陶瓷内层，所述“Z”字型结构的陶瓷内层包括交替生长的第一柱状晶层和第二柱状晶层，所述第一柱状晶层中的柱状晶与基板夹角为θ，所述第二柱状晶层中的柱状晶与基板夹角为-θ，第一柱状晶层和第二柱状晶层中的柱状晶之间夹角为2θ；3采用EB-PVD工艺在步骤2得到的陶瓷内层表面制备具有“Z”字型结构低红外发射率层，所述低红外发射率层是稀土氧化物掺杂的GZO或CeO2涂层，具体为RexCe1-xO2-a，Re为Gd、Yb、Sm、Nd，X为0.1-0.5；或Gd1-xRex2Zr2O7，Re为Yb、Nd、Sc，X为0.1-0.5；其制备方法与步骤2中陶瓷内层制备方法相同，所述“Z”字型结构低红外发射率层包括交替生长的第一柱状晶层和第二柱状晶层，所述第一柱状晶层中的柱状晶与基板夹角为θ，所述第二柱状晶层中的柱状晶与基板夹角为-θ，第一柱状晶层和第二柱状晶层中的柱状晶之间夹角为2θ；涂层在室温至1300℃范围内，发射率随温度的升高下降，1000℃以上3-5μm红外发射率不高于0.3，1000℃热导率低至0.8wm*k。

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