恭喜重庆大学李辉获国家专利权
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龙图腾网恭喜重庆大学申请的专利提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172299B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210826747.7，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装结构及其制造方法是由李辉;余越;姚然;赖伟;朱哲研;周柏灵;刘人宽;段泽宇;陈思宇;向学位设计研发完成，并于2022-07-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装结构及其制造方法，属于半导体封装技术领域。该结构包括功率半导体芯片、集电极钼片、发射极钼片、缓冲层、集电极电极和凸台，以及在功率半导体芯片有源区的边缘区域表面添加的高导热和高热容材料，具体包括聚合物型金属导电浆料、烧结后的烧结型金属导电浆料、通过电镀得到的金属层等。本发明通过高导热和高热容材料，能改善芯片有源区边缘瞬态散热能力，从而提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装优化设计。
本发明授权提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种提升压接型功率半导体器件短路耐受能力的封装结构，包括功率半导体芯片、集电极钼片、发射极钼片、缓冲层、集电极电极和凸台；其特征在于，所述功率半导体芯片具有终端区、栅极区和有源区，所述终端区位于芯片边缘，不与发射极钼片直接接触；所述有源区包括与发射极钼片直接接触的中心区域，以及未与发射极钼片直接接触并且与终端区相邻的边缘区域；在功率半导体芯片有源区的边缘区域表面添加高导热和高热容材料。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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