恭喜重庆嘉旦微电子有限公司赵世巍获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!
龙图腾网恭喜重庆嘉旦微电子有限公司申请的专利基于可调过饱和前置功放管的高线性度功放及设计方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115051656B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210760331.X,技术领域涉及:H03F1/32;该发明授权基于可调过饱和前置功放管的高线性度功放及设计方法是由赵世巍;陈云;邓攀;赵艳阳设计研发完成,并于2022-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于可调过饱和前置功放管的高线性度功放及设计方法在说明书摘要公布了:本发明提供一种基于可调过饱和前置功放管的高线性度功放及设计方法,所述高线性度功放包括功分模块、主功放模块、相移模块、非线性信号发生模块、相位补偿模块、辅助功放模块及阻抗变换模块。整个功率放大器分为两条支路,输入的初始射频信号被分为两路,在第一条支路中,射频信号分量依次经放大处理及相位调节处理,得到第一中间射频信号,在第二条支路中,射频信号分量作用于可调过饱和前置功放管上,产生三阶交调非线性信号,三阶交调非线性信号依次经过相位补偿、放大处理后,得到第二中间射频信号,后续对两条支路的输出信号进行叠加合并处理,使得第二中间射频信号与第一中间射频信号的三阶交调分量相互抵消,提高了功率放大器的线性度。
本发明授权基于可调过饱和前置功放管的高线性度功放及设计方法在权利要求书中公布了:1.一种基于可调过饱和前置功放管的高线性度功放,其特征在于,包括:功分模块,其输入端作为所述高线性度功率放大器的输入端,其输入端接初始射频信号;主功放模块,其输入端接所述功分模块的第一输出端;相移模块,其输入端接所述主功放模块的输出端;非线性信号发生模块,其输入端接所述功分模块的第二输出端;相位补偿模块,其输入端接所述非线性信号发生模块的输出端;辅助功放模块,其输入端接所述相位补偿模块的输出端;阻抗变换模块,其输入端分别与所述相移模块的输出端及所述辅助功放模块的输出端连接,其输出端作为所述高线性度功率放大器的输出端,其输出端输出目标射频信号;其中,所述非线性信号发生模块包括可调过饱和场效应晶体管,所述可调过饱和场效应晶体管的栅极接所述功分模块的第二输出端,所述可调过饱和场效应晶体管的漏极产生三阶交调非线性信号,所述三阶交调非线性信号依次经过所述相位补偿模块的相位补偿处理、所述辅助功放模块的放大处理后,与所述主功放模块输出的且经所述相移模块的相位调节处理后的信号的三阶交调分量相互抵消;其中,所述可调过饱和场效应晶体管包括N沟道型高电子迁移率晶体管,所述非线性信号发生模块还包括偏置单元,所述偏置单元包括第一微带传输线、第二微带传输线、第一滤波电容、第二滤波电容、第三滤波电容、第四滤波电容、第五滤波电容及第六滤波电容,所述N沟道型高电子迁移率晶体管的栅极经串接的所述第一微带传输线后接所述功分模块的第二输出端,所述第一滤波电容的一端接所述第一微带传输线、另一端接地,所述第二滤波电容及所述第三滤波电容分别与所述第一滤波电容并联,所述N沟道型高电子迁移率晶体管的源极接地,所述N沟道型高电子迁移率晶体管的漏极经串接的所述第二微带传输线后接所述相位补偿模块的输入端,所述第四滤波电容的一端接所述第二微带传输线、另一端接地,所述第五滤波电容及所述第六滤波电容分别与所述第四滤波电容并联。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人重庆嘉旦微电子有限公司,其通讯地址为:400030 重庆市沙坪坝区高新区西永街道学城大道62-1研发楼B1栋8楼B1-804;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。