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龙图腾网恭喜重庆平创半导体研究院有限责任公司申请的专利通过晶背优化降低导通电阻的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115376899B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210431465.7，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权通过晶背优化降低导通电阻的方法是由陈显平;郑博风;李杰设计研发完成，并于2022-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本通过晶背优化降低导通电阻的方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件处理技术领域，具体涉及一种通过晶背优化降低导通电阻的方法，包括以下步骤：衬底减薄：采用减薄机将SiC晶圆衬底减薄；蒸镀欧姆接触材料：在衬底背面通过蒸镀工艺形成欧姆接触材料层；激光刻蚀：激光刻蚀欧姆接触材料层和SiC晶圆衬底；背面退火：对刻蚀后的衬底背面进行退火；还原Si02：在高温下用H2或者CO将衬底背面Si02还原成Si；蒸镀过渡层：在衬底背面通过蒸镀工艺形成Mo层或者W层；蒸镀外接层：在衬底背面通过蒸镀工艺形成外接金属层。本发明能够降低SiC晶圆衬底的导通电阻，同等的导通电阻条件下，可以变相地减少金刚石砂轮的耗材量。

本发明授权通过晶背优化降低导通电阻的方法在权利要求书中公布了：1.通过晶背优化降低导通电阻的方法，包括以下步骤：衬底减薄：采用减薄机将SiC晶圆衬底减薄；从衬底背面研磨减薄，减薄后的衬底厚度最薄至150μm；蒸镀欧姆接触材料：在衬底背面通过蒸镀工艺形成欧姆接触材料层；先蒸镀一层Ti层，再蒸镀一层Ni层；激光刻蚀：激光刻蚀欧姆接触材料层和SiC晶圆衬底；刻蚀形成孔或槽中的一种或其组合；背面退火：对刻蚀后的衬底背面进行退火，退火修复的过程中，在衬底背面刻蚀的凹陷区形成SiO2；其特征在于：还原SiO2：在高温下用H2或者CO将衬底背面SiO2还原成Si；蒸镀过渡层：在衬底背面通过蒸镀工艺形成Mo层或者W层；过渡层的厚度为5nm～10nm；蒸镀外接层：在衬底背面通过蒸镀工艺形成外接金属层；外接金属层为Ag层，Ag层的厚度为1μm～100μm。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人重庆平创半导体研究院有限责任公司，其通讯地址为：402760 重庆市璧山区璧泉街道红宇大道1号(2号楼、3号楼)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。