恭喜江苏大学王权获国家专利权
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龙图腾网恭喜江苏大学申请的专利一种贵金属纳米线与二维二硫化钼复合结构的光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899275B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210389877.9，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种贵金属纳米线与二维二硫化钼复合结构的光电探测器及其制备方法是由王权;谭翔;冀春明;黄嘉福设计研发完成，并于2022-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种贵金属纳米线与二维二硫化钼复合结构的光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种贵金属纳米线与二维二硫化钼复合结构的光电探测器及其制备方法，首先在氧化硅片上制备由多条平行排列的贵金属纳米线构成的第一贵金属纳米线阵列；再利用微机械剥离法将单层二硫化钼薄膜转移至氧化硅片的第一贵金属纳米线阵列上方；最后在单层二硫化钼薄膜上构筑第二贵金属纳米线阵列和贵金属电极，且第二贵金属纳米线阵列的纳米线与第一贵金属纳米线阵列的纳米线相互垂直形成贵金属纳米网格，得到基于复合结构的光电探测器。所述制备方法使贵金属纳米线的宽度和间距具有较大的可控性，可以实现对二维材料光学特性的灵活调制。该结构能够将光场牢牢局域并增强，提高光电探测器对光的吸收能力和灵敏度，具有较强的光探测性能。
本发明授权一种贵金属纳米线与二维二硫化钼复合结构的光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种贵金属纳米线与二维二硫化钼复合结构的光电探测器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在氧化硅片1上制备由多条平行排列的贵金属纳米线构成的第一贵金属纳米线阵列2；步骤2：通过微机械剥离法将单层二硫化钼薄膜4转移至氧化硅片1的第一贵金属纳米线阵列2上方；步骤3：再在单层二硫化钼薄膜4上构筑第二贵金属纳米线阵列6和贵金属电极5，所述第二贵金属纳米线阵列6也是由多条平行的贵金属纳米线构成，且第二贵金属纳米线阵列6的纳米线与第一贵金属纳米线阵列2的纳米线相互垂直形成贵金属纳米网格，得到基于复合结构的光电探测器；所述贵金属纳米线之间的间距为100-250nm，所述贵金属纳米线的宽度、厚度均为30-80nm。
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