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龙图腾网恭喜同济大学申请的专利一种CMOS温度传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114623944B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210284687.0，技术领域涉及：G01K7/01；该发明授权一种CMOS温度传感器是由周延;邱雷设计研发完成，并于2022-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种CMOS温度传感器在说明书摘要公布了：本发明属于集成传感器技术领域，提出了一种CMOS温度传感器，包括：启动电路、带隙基准电路、第三支路、镜像电流源、电压校准电路、模数转换电路、温度校准模块。本发明的CMOS温度传感器，克服在各种工艺角下带隙基准电路中运算放大器失调电压对基准电压VBG的影响，进而使得温度检测更为精确，整个温度传感器具有较低的功耗、较高的线性度。

本发明授权一种CMOS温度传感器在权利要求书中公布了：1.一种CMOS温度传感器，其特征在于，包括：启动电路、带隙基准电路、第三支路、镜像电流源、电压校准电路、模数转换电路、温度校准模块；所述带隙基准电路包括：第一运算放大器、第一NMOS管、第一支路、第二支路，其中：所述第一NMOS管的栅极与第一运算放大器连接，第一NMOS管的漏极与镜像电流源连接；所述第一支路与第一NMOS管连接；所述第二支路与第一NMOS管连接；所述带隙基准电路向所述模数转换电路处于采样阶段时输出带隙基准电压与正温度系数电压；所述第一支路包括：第一三极管、第三电阻、第一电阻，其中：所述第三电阻与第一三极管串联，所述第一电阻与第三电阻串联，所述第一电阻与所述第一NMOS管的源极连接；所述第二支路包括：第二三极管、第二电阻，两者串联，所述第二电阻与所述第一NMOS管的源极连接；其中，所述第一运算放大器的正输入端与所述第三电阻的上端连接，其负输入端与所述第二电阻的下端连接，所述第一运算放大器使得所述第一电阻、第二电阻的电压降相等；所述第三支路包括：第三三极管、第四电阻，两者串联，用于生成模数转换电路所需要的共模电平，所述第四电阻与所述第一NMOS管的源极连接；所述第一三极管、第二三极管、第三三极管均为PNP型三极管，所述第一NMOS管的栅极与所述第一运算放大器输出端、启动电路的第二端连接，所述第一NMOS管的漏极与镜像电流源、启动电路第一端连接，所述第一NMOS管的源极与所述第一电阻的第一端连接；所述第一电阻的第二端与所述第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述第一三极管的发射极连接，所述第一三极管的集电极与基极接地；所述第二电阻的第一端与所述第一NMOS管的源极连接，所述第二电阻的第二端与所述第二三极管的发射极连接，所述第二三极管的集电极与基极接地；所述第四电阻的第一端与所述镜像电流源连接，所述第四电阻的第二端与所述第三三极管的发射极连接，所述第三三极管的集电极与基极接地；在所述模数转换电路的采样阶段，所述第二支路向所述模数转换电路提供所述电压以及所述带隙基准电压，所述第三支路用于生成所述模数转换电路需要的共模电平；所述第一三极管与所述第二三极管的面积之比为P:1，P=24，为所述第三电阻上的压降，为所述第二电阻上的压降，即=，。

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