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龙图腾网恭喜西安电子科技大学;北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司申请的专利一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga₂O₃ Cascode功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582861B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210221675.3，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga₂O₃ Cascode功率器件是由赵胜雷;舒磊;张进成;刘爽;李同德;苏杰;王亮;赵元富;郝跃设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga₂O₃ Cascode功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单粒子效应加固的印刷转移GaNGa2O3Cascode功率器件，低压增强型GaNHEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaNHEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，低压增强型GaNHEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。本发明采用上述结构的一种单粒子效应加固的印刷转移GaNGa2O3Cascode功率器件，实现新型的GaN与Ga2O3级联的增强型器件，降低航天系统的复杂度，提升器件的抗辐照能力，提高器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。

本发明授权一种单粒子效应加固的印刷转移GaN/Ga₂O₃ Cascode功率器件在权利要求书中公布了：1.一种单粒子效应加固的印刷转移GaNGa2O3Cascode功率器件，其特征在于：级联结构从左到右包括：高压耗尽型Ga2O3FET源极Source1、栅极Gate1、漏极Drain1，低压增强型GaNHEMT器件的源极Source2、栅极Gate2以及漏极Drain2；低压增强型GaNHEMT的漏极Drain2和高压耗尽型Ga2O3FET的源极Source1相连通，低压增强型GaNHEMT的源极Source2和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate1相连通，即低压增强型GaNHEMT的栅极Gate2作为GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件的栅极，低压增强型GaNHEMT的源极Source2作为GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件的源极，高压耗尽型Ga2O3FET的漏极Drain1作为GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件的漏极，低压增强型GaNHEMT和高压耗尽型Ga2O3FET之间连通的方式通过将各个外延片结构之间的相互印刷转移，形成单片集成。

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