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龙图腾网恭喜西安电子科技大学;北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司申请的专利一种单片集成GaN/Ga₂O₃的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114582862B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210221722.4，技术领域涉及：H10D84/82；该发明授权一种单片集成GaN/Ga₂O₃的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件及其制备方法是由赵胜雷;刘爽;张进成;舒磊;赵杜钧;李同德;王亮;赵元富;郝跃设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种单片集成GaN/Ga₂O₃的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种单片集成GaNGa2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaNHEMT结构，Ga2O3FET结构和GaNHEMT结构均设置在衬底上，GaNHEMT结构和Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；GaNHEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层的上方从左至右依次设置有第二源极、p‑GaN层和第二漏极，p‑GaN层的上方设置有第二栅极。本发明采用上述结构实现了新型Ga2O3的增强型器件，降低了宇航系统的重量和复杂度，增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压。

本发明授权一种单片集成GaN/Ga₂O₃的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种单片集成GaNGa2O3的Cascode增强型抗单粒子烧毁器件，其特征在于：包括Ga2O3FET结构和设置在所述Ga2O3FET结构右侧的GaNHEMT结构，所述Ga2O3FET结构和所述GaNHEMT结构均设置在衬底上，所述GaNHEMT结构和所述Ga2O3FET结构之间设置有第一钝化层；所述Ga2O3FET结构自下而上依次包括Ga2O3缓冲层和Ga2O3沟道层，所述Ga2O3沟道层的上方从左至右依次设置有第一源极、第一栅极和第一漏极；所述GaNHEMT结构自下而上依次包括AlN成核层、GaN缓冲层和AlGaN势垒层，所述AlGaN势垒层的上方从左至右依次设置有第二源极、p-GaN层和第二漏极，所述p-GaN层的上方设置有第二栅极；所述第二漏极和所述第一源极相连通，所述第二源极和所述第一栅极相连通。

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