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龙图腾网恭喜西安电子科技大学;北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司申请的专利一种抗辐照GaN/Ga₂O₃的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709197B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210232467.3，技术领域涉及：H01L25/07；该发明授权一种抗辐照GaN/Ga₂O₃的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法是由赵胜雷;舒磊;张进成;刘爽;李同德;王亮;赵杜钧;赵元富;郝跃设计研发完成，并于2022-03-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗辐照GaN/Ga₂O₃的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗辐照GaNGa2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件从左到右包括低压增强型GaNHEMT器件和高压耗尽型Ga2O3FET器件，所述低压增强型GaNHEMT器件与所述高压耗尽型Ga2O3FET器件相连通。本发明采用上述结构的一种抗辐照GaNGa2O3的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法，Ga2O3材料具有高击穿电压特性，同时GaN属于宽禁带材料，整体上增加了器件的可靠性，提高了器件在宇航辐照环境应用下的单粒子烧毁阈值电压，降低了宇航系统的重量和复杂程度。

本发明授权一种抗辐照GaN/Ga₂O₃的Cascode级联增强型功率器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种抗辐照GaNGa2O3的Cascode级联增强型功率器件，其特征在于：GaN与Ga2O3器件级联的Cascode结构增强型功率器件从左到右包括低压增强型GaNHEMT器件和高压耗尽型Ga2O3FET器件，所述低压增强型GaNHEMT器件与所述高压耗尽型Ga2O3FET器件相连通；所述低压增强型GaNHEMT器件包括栅极Gate1、源极Source1和漏极Drain1，所述高压耗尽型Ga2O3FET器件包括栅极Gate2、源极Source2和漏极Drain2，所述漏极Drain1与所述源极Source2相连通，所述源极Source1与所述栅极Gate2相连通；所述栅极Gate1作为所述Cascode结构增强型功率器件的栅极，所述源极Source1作为所述Cascode结构增强型功率器件的源极，所述漏极Drain2作为所述Cascode结构增强型功率器件的漏极；上述抗辐照GaNGa2O3的Cascode级联增强型功率器件的制作方法，包括以下步骤：1）对低压增强型GaNHEMT器件和高压耗尽型Ga2O3FET器件这两种结构的外延片分别进行减薄抛光；2）对完成减薄抛光的两种结构外延片进行划片，分别挑出合格的芯片；3）将划片后的两种结构的合格芯片进行芯片贴装；4）对贴装后的芯片进行引线键合，将低压增强型GaNHEMT器件的漏极Drain1和高压耗尽型Ga2O3FET器件的源极Source2互连，低压增强型GaNHEMT器件的源极Source1和高压耗尽型Ga2O3FET的栅极Gate2互连；5）将完成上述引线键合的芯片进行封装，然后将芯片进行包装，完成器件制作。

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