恭喜中国电子科技集团公司第四十六研究所李明佳获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第四十六研究所申请的专利一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114574940B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210164175.0，技术领域涉及：C30B13/00；该发明授权一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏是由李明佳;李聪;张瀚文;冯旭;郑万超;刘洪;张伟才设计研发完成，并于2022-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏在说明书摘要公布了：本发明涉及一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏。在区熔单晶炉的中炉室内加热线圈的下方40mm处设置热屏，热屏罩的上沿直径为90mm，下沿直径为215mm，高度为40mm，冷凝管路中冷却水的压力为3.2bar；当进行扩肩、转肩、等径、收尾工序时，硅单晶随着下轴向下移动，进入到热屏区域内，热屏罩反射的热量作用在单晶的下部，避免温度梯度过大或过小而发生单晶炸裂或回熔导致成晶失败。
本发明授权一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法及使用的热屏在权利要求书中公布了：1.一种拉制六英寸区熔硅单晶的方法，包括抽空、预热、化料、拉细颈、扩肩、转肩、等径、收尾、停炉和拆装炉过程；其特征在于：在区熔单晶炉（2）的中炉室（21）内加热线圈（4）的下方40mm处设置热屏（1）；所述的热屏（1）包括热屏罩（11）和冷凝管路（12），所述热屏罩（11）是上下通透的锥型罩，热屏罩（11）的上沿（111）直径为190mm，下沿（112）直径为215mm，高度为40mm，沿着整个热屏罩（11）的上沿（111）设置所述冷凝管路（12）；当进行扩肩、转肩、等径、收尾工序时，硅单晶（6）随着下轴向下移动，进入到热屏（1）区域内，热屏罩（11）反射的热量作用在硅单晶（6）的下部；将所述热屏（1）的冷凝管路（12）中的冷却水压力控制在3.2bar。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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