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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利薄膜沉积系统及其方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114807909B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210157927.0，技术领域涉及：C23C16/505；该发明授权薄膜沉积系统及其方法是由郑有翔;吴哲玮设计研发完成，并于2022-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本薄膜沉积系统及其方法在说明书摘要公布了：一种薄膜沉积系统及其方法，薄膜沉积系统包含定位于晶圆之上且用以在薄膜沉积制程期间产生电浆的顶板。薄膜沉积系统包含感测器，感测器用以产生指示薄膜沉积系统的组件的寿命、由薄膜沉积系统沉积的薄膜的特性或流入薄膜沉积系统中的制程材料的特性的感测器信号。薄膜沉积系统包含控制系统，控制系统用以回应于感测器信号在薄膜沉积制程期间调整薄膜沉积系统顶板相对于薄膜沉积系统中晶圆位置的相对位置。

本发明授权薄膜沉积系统及其方法在权利要求书中公布了：1.一种沉积薄膜的方法，其特征在于，包含：运用一薄膜沉积系统在一晶圆上执行一薄膜沉积制程；在该薄膜沉积制程期间运用在该晶圆上的一顶板产生一电浆；运用多个感测器产生多个感测器信号，所述多个感测器的所述多个感测器信号指示该薄膜沉积系统的一组件的一寿命或由该薄膜沉积系统沉积的一薄膜的一特性；在该薄膜沉积制程期间运用一通光束感测器产生指示一缝隙的一感测器信号，该缝隙为该顶板的一底表面与该晶圆的一顶表面之间的一距离，其中：该通光束感测器包含一辐射发射器及一辐射感测器，该辐射发射器经由该晶圆与该顶板之间的该缝隙发射一辐射束，该辐射束的一直径大于该缝隙的一预定量值，该辐射束的一部分由该顶板的侧面以及该晶圆、一底板及一加热器的侧面阻挡，该辐射感测器定位于该晶圆及该顶板与该辐射发射器相对的一侧上，该辐射感测器经对准以在该辐射束已通过该缝隙之后接收该辐射束，且该辐射感测器接收的一辐射量指示该缝隙的大小；及回应于该薄膜沉积制程期间的所述多个感测器的所述多个感测器信号中的一或多者及该通光束感测器的该感测器信号，调整该薄膜沉积系统的该顶板相对于该薄膜沉积系统中的该晶圆的一位置的一相对位置。

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