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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种GGNMOS结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114497031B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210097232.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种GGNMOS结构是由庚润;田志;刘涛;姬峰设计研发完成，并于2022-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GGNMOS结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种GGNMOS结构，位于P型衬底区的第一高压P阱；第一高压P阱内的第一N阱；第一N型漂移区；第一N型重掺杂区；第一高压P阱两侧设有第二N阱；其中一个第二N阱上设有第二N型重掺杂区；第二N阱一侧设有P阱；P阱上设有第一P型重掺杂区；P阱一侧设有第二高压P阱；第二高压P阱内设有第二N型漂移区和P型漂移区；第二N型漂移区上设有第三N型重掺杂区；P型漂移区上设有第二P型重掺杂区；第二N型漂移区与P阱之间的第二高压P阱上设有栅极结构；本发明的N阱的掺杂浓度高于N型漂移区，有效的将雪崩击穿点由N型漂移区、高压P阱转移到了N阱与高压P阱，有效降低了触发电压。不显著增加面积的前提下，有效提高了触发均匀性。

本发明授权一种GGNMOS结构在权利要求书中公布了：1.一种GGNMOS结构，其特征在于，至少包括：P型衬底；位于所述P型衬底区域的第一高压P阱；形成于所述第一高压P阱内的第一N阱；形成于所述第一N阱上的第一N型漂移区；形成于所述第一N型漂移区上的第一N型重掺杂区；所述第一高压P阱两侧分别设有第二N阱；其中一个所述第二N阱上设有第二N型重掺杂区；所述第二N阱远离所述第一高压P阱的一侧分别设有P阱；所述P阱上设有第一P型重掺杂区；所述P阱远离所述第二N阱的一侧分别设有第二高压P阱；所述第二高压P阱内设有第二N型漂移区和P型漂移区；所述第二N型漂移区上设有第三N型重掺杂区；所述P型漂移区上设有第二P型重掺杂区；所述第二N型漂移区与所述P阱之间的所述第二高压P阱上表面设有栅极结构；所述P型漂移区与所述第二N型漂移区之间设有STI区、所述第二N型漂移区与所述栅极结构之间的所述第二高压P阱内设有STI区、所述第二高压P阱与所述P阱之间设有STI区；所述P阱与所述第二N阱之间设有STI区；所述第二N阱与所述第一高压P阱之间设有STI区。

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