浙江大学徐杨获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114530469B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210049787.5，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法是由徐杨;宁浩;吴少雄;吕建杭;刘粒祥;陈丽;汪晓晨;俞滨设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料硅异质结阵列及其制备方法，包括组成阵列的若干异质结单元。异质结单元为二维材料硅的垂直异质结，阵列是异质结单元的面阵阵列。制备方法为在绝缘层上硅衬底上通过刻蚀顶硅的方式形成图形化的顶硅条带，再依次沉积绝缘层、制作电极、刻蚀出硅窗口及硅接触孔，再将二维材料转移至硅窗口并图形化。本发明通过二维材料与硅的垂直异质结拓宽吸收波段、增强光吸收。本发明的异质结阵列中，每一列行异质结共用同一条顶硅条带，每一行列异质结的二维材料接触电极相互连接，组成一条该行列的顶电极布线。本发明实现了二维材料硅异质结器件的阵列制作，为二维材料和硅的大规模集成提供了方案。
本发明授权一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料/硅异质结阵列及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于绝缘层上硅衬底的二维材料硅异质结阵列，包括组成阵列的若干异质结单元，其特征在于，所述异质结单元是二维材料与硅的垂直异质结；所述阵列是异质结单元的面阵阵列；所述阵列包括绝缘层上硅衬底1，所述绝缘层上硅衬底1是将顶硅图形化成若干顶硅条带2的绝缘层上硅衬底，所述绝缘层上硅衬底1上还设有绝缘层3，所述绝缘层3中刻有硅窗口阵列7和硅接触孔；所述硅窗口阵列7的每个硅窗口外围设有二维材料接触电极4，每一行列的硅窗口外围的二维材料接触电极4相互连接并引出作为该行列的公共顶电极；所述二维材料接触电极4上覆盖二维材料5，所述二维材料5通过所述硅窗口与所述顶硅条带2接触形成异质结；所述阵列中的每一列行异质结共用同一条顶硅条带2，每条顶硅条带2均通过所述硅接触孔连接有硅接触电极6。
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