TDK株式会社高桥宏和获国家专利权
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龙图腾网获悉TDK株式会社申请的专利磁传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114814672B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210048800.5，技术领域涉及：G01R33/06；该发明授权磁传感器是由高桥宏和;牧野健三设计研发完成，并于2022-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁传感器在说明书摘要公布了：本发明的磁传感器具备MR元件。MR元件包含自由层。自由层具有在一个方向上较长的形状的第一面、和配置在与第一面为相反侧的第二面，并且具有作为与第一面垂直的方向的尺寸的膜厚。第一面具有位于第一面的短边方向的两端的第一端部以及第二端部。在任意的截面中，第一端部处的膜厚比第一端部与第二端部之间的第一面上的规定的点处的膜厚小。
本发明授权磁传感器在权利要求书中公布了：1.一种磁传感器，其特征在于，是具备电阻值根据外部磁场而变化的磁阻效应元件、和支撑所述磁阻效应元件的支撑构件的磁传感器，所述磁阻效应元件包括具有方向能够根据所述外部磁场而变化的磁化的磁性层，所述磁性层具有在一个方向上较长的形状的第一面、和配置在与所述第一面为相反侧的第二面，并且具有作为与所述磁性层的所述第一面垂直的方向的尺寸的膜厚，所述第一面具有位于所述第一面的短边方向的两端的第一端部以及第二端部，在与所述磁性层交叉且与所述第一面的长边方向垂直的任意的截面中，所述第一端部处的所述膜厚比所述第一端部与所述第二端部之间的所述第一面上的规定的点处的所述膜厚小，所述支撑构件具有与所述磁阻效应元件相对的相对面、和位于与所述相对面为相反侧的下表面，所述下表面对应于基准平面，所述相对面包括与所述基准平面平行的平面部分、和与所述基准平面不平行的曲面部分，所述曲面部分具有位于与所述第一面的所述长边方向正交的第一方向的端的第三端部、和位于与第一方向相反的第二方向的端的第四端部，所述曲面部分的所述第三端部和所述曲面部分的所述第四端部均与所述平面部分连接，在与所述磁性层交叉且与所述第一面的所述长边方向垂直的所述任意的截面中，所述曲面部分具有整体弯曲的曲线形状，所述磁阻效应元件的至少一部分配置在所述曲面部分之上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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