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龙图腾网恭喜锐立平芯微电子(广州)有限责任公司申请的专利一种多尺寸金属栅极的制作方法及装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388357B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210033145.6，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权一种多尺寸金属栅极的制作方法及装置是由刘格致;叶甜春;朱纪军;罗军;李彬鸿;赵杰设计研发完成，并于2022-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多尺寸金属栅极的制作方法及装置在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种多尺寸金属栅极的制作方法及装置，该方法包括：基于多晶硅栅极工艺在衬底结构形成至少两个多晶硅栅极的栅极沟槽，栅极沟槽的原始尺寸大于金属栅极的目标尺寸，目标尺寸是用于填充金属填充物的尺寸；根据目标尺寸在栅极沟槽的内侧壁沉积薄膜层，薄膜层用于填充栅极沟槽，将至少两个栅极沟槽的原始尺寸缩减为目标尺寸，其中，不同的栅极沟槽对应不同的目标尺寸；向至少两个栅极沟槽填充金属填充物，形成目标尺寸的金属栅极。本申请提供的方法，无需生成不同尺寸的多晶硅金属栅极，且可以实现批量生产，提高多尺寸金属栅极的制作效率。

本发明授权一种多尺寸金属栅极的制作方法及装置在权利要求书中公布了：1.一种多尺寸金属栅极的制作方法，其特征在于，所述方法包括：基于多晶硅栅极工艺在衬底结构形成至少三个多晶硅栅极的栅极沟槽，所述栅极沟槽的原始尺寸大于所述金属栅极的目标尺寸，所述目标尺寸是用于填充金属填充物的尺寸；根据所述目标尺寸在所述栅极沟槽的内侧壁沉积薄膜层，所述薄膜层用于填充所述栅极沟槽，将至少三个栅极沟槽的所述原始尺寸缩减为所述目标尺寸，其中，不同的栅极沟槽对应不同的目标尺寸；具体通过原子层沉积技术在第一栅极沟槽、第二栅极沟槽以及第三栅极沟槽的内侧壁沉积第二薄膜层，所述第二薄膜层的第二薄膜尺寸为第一目标尺寸与第二目标尺寸的差值，第一目标尺寸和第二目标尺寸分别为第一金属栅极和第二金属栅极对应的栅极尺寸；在所述第一栅极沟槽的第一栅极区生成第二光阻层，所述第二光阻层覆盖区域为第二光阻保护区，所述第二光阻保护区用于保护所述第一栅极区的第二薄膜层；刻蚀第二光阻保留区内的所述第二薄膜层，所述第二光阻保留区包括第二栅极区和所述第三栅极沟槽的第三栅极区；通过等离子体灰化技术清除所述第二光阻层；通过原子层沉积技术在所述第一栅极沟槽、所述第二栅极沟槽以及所述第三栅极沟槽的内侧壁沉积第三薄膜层，所述第三薄膜层的第三薄膜尺寸为所述第二目标尺寸与原始尺寸的差值；在所述第一栅极区和所述第二栅极沟槽的第二栅极区生成第三光阻层，所述第三光阻层覆盖区域为第三光阻保护区；刻蚀第三光阻保留区内的所述第三薄膜层，所述第三光阻保留区包括所述第一栅极区；通过等离子体灰化技术清除所述第三光阻层；对所有栅极沟槽进行化学机械抛光处理，并研磨至目标高度，其中，所述衬底结构上的所述金属栅极具有相同的目标高度；向所述至少三个栅极沟槽填充金属填充物，形成所述目标尺寸的所述金属栅极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人锐立平芯微电子(广州)有限责任公司，其通讯地址为：510000 广东省广州市黄埔区开发大道348号建设大厦710室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。