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龙图腾网恭喜浙江森尼克半导体有限公司申请的专利电流传感器及其集成电路装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114371329B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111669127.9，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权电流传感器及其集成电路装置是由郑律;陈占胜;夏凌辉;黄禾设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本电流传感器及其集成电路装置在说明书摘要公布了：本申请公开了一种电流传感器及其集成电路装置。其中，集成电路装置包括：基板，形成有相对设置的第一表面和第二表面；第一类引线构架，用于在基板的第一表面的一侧形成第一电流路径；和若干磁场换能器，设置于基板的第一表面上或第一表面的一侧；其中，第一类引线构架形成有用于环绕两个相异的磁场换能器的第一环绕部和第二环绕部；第一环绕部具有朝向第一方向的第一敞口；第二环绕部具有朝向与第一方向相异的第二方向的第二敞口。本申请的有益之处在于：提供了一种通过对磁场换能器的数目、排布和引线构架对它们环绕结构的改良设计从而改善检测精度的电流传感器及其集成电路装置。

本发明授权电流传感器及其集成电路装置在权利要求书中公布了：1.一种集成电路装置，其特征在于：所述集成电路装置包括：基板，形成有相对设置的第一表面和第二表面；第一类引线构架，用于在所述基板的第一表面的一侧形成第一电流路径；和若干磁场换能器，设置于所述基板的第一表面上或第一表面的一侧；其中，所述第一类引线构架形成有用于部分的环绕两个相异的磁场换能器的第一环绕部和第二环绕部；所述第一环绕部具有朝向第一方向的第一敞口；所述第二环绕部具有朝向与所述第一方向相异的第二方向的第二敞口；将第一类引线构架及磁场换能器投影至X-Y坐标系中，分别表示第一敞口、第二敞口的开口处的两个最远边界点，以经过两个最远边界点的连线段的中点与对应磁场换能器的中心点的基准线的方向表示敞口的方向；其中表示第一方向的基准线为L1，表示第二方向的基准线为M1，由L1和M1之间的夹角α1指示第一方向与第二方向的夹角。

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