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龙图腾网恭喜杭州电子科技大学申请的专利一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114267958B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111588973.8，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构是由俞钰峰;张聪会;刘琦;罗国清设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构在说明书摘要公布了：本发明提出一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构。目前已报道的低通吸收式频率选择结构过渡带宽，选择性不够优异。本发明为周期结构。结构单元由两部分组成，一部分为损耗层，另一部分为三维带阻结构。损耗层采用射频电阻和等效电感值较大的弯折的金属线，三维带阻结构采用在垂直方向上的介质基片上印刷金属条。整个结构具有高频吸波低频透波，且过渡带窄的特性。本发明与应用于军事领域的工作在VHFUHF频段的大量超宽带天线和频谱监测等系统的天线罩的性能指标完美匹配，具有很强的适用性。

本发明授权一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构在权利要求书中公布了：1.一种窄过渡带的低通吸收式频率选择结构，为周期结构，其特征在于每个单元包括损耗层和三维带阻结构；损耗层与三维带阻结构间留有空气间隙；所述损耗层包括第一介质基片、以及分别设置在第一介质基片上下表面的第一吸波面、第二吸波面；所述第一吸波面与所述第二吸波面空间垂直设置；所述第一吸波面包括依次串联的第一金属线、第一射频电阻、第二金属线；所述第二吸波面包括依次串联的第三金属线、第二射频电阻、第四金属线；所述第一射频电阻、所述第二射频电阻、第一介质基片的中心位于同一直线；第一金属线、第二金属线、第三金属线、第四金属线的结构相同，其均包括折线部分和直线部分；折线部分的一端连接直线部分的一端，直线部分的另一端连接位于同一吸波面的射频电阻；所述损耗层的等效电路为串联LC电路，其等效电感数值为6.1-14.05nH，对应的等效电容数值为0.064-0.135pF；所述三维带阻结构位于损耗层的下方，且与损耗层垂直设置；其包括第二至五介质基片、四根金属条；所述第二介质基片、第三介质基片、第四介质基片、第五介质基片围合成两端开放的中空长方体结构；所述长方体结构的其中两相邻介质基片内侧分别设有两根金属条；每块介质基片的两根金属条位于介质基片靠近损耗层端和远离损耗层端；位于同一块介质基片的两根金属条最远端距离为0.4λ0-0.6λ0，其中λ0表示吸波带中心频点对应波长。

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