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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第十二研究所申请的专利一种微通道板的制备方法及由该制备方法制备得到的微通道板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114496712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111515816.4，技术领域涉及：H01J43/24；该发明授权一种微通道板的制备方法及由该制备方法制备得到的微通道板是由李兴辉;陈海军;蔡军设计研发完成，并于2021-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微通道板的制备方法及由该制备方法制备得到的微通道板在说明书摘要公布了：本发明公开微通道板及其制备方法，其制备包括：提供基底；在基底的一个表面上的预选位置形成柱形阵列；在所述基底和柱形阵列的表面上沉积电子倍增材料，形成电子倍增层；在电子倍增层上施加绝缘材料至完全覆盖柱形阵列，形成绝缘层；对得到的结构中绝缘层所在的表面进行磨平、抛光，直至露出柱形阵列的顶端；去除基底并对该结构中与基底相结合的表面进行研磨、抛光，至露出柱形阵列的底端；去除柱形阵列，得到具有通孔且通孔上包覆有电子倍增层的绝缘层结构；分别在该绝缘层结构的上下表面上除通孔外的地方沉积导电材料。解决了微通道板的制备过程中存在的大深宽比孔微孔刻蚀、基材高温长时间处理变形以及微通道内壁薄膜材料均匀制作难的问题。

本发明授权一种微通道板的制备方法及由该制备方法制备得到的微通道板在权利要求书中公布了：1.一种微通道板的制备方法，其特征在于，由如下步骤组成：提供基底；在基底的一个表面上的预选位置形成柱形阵列；在所述基底和柱形阵列的表面上沉积电子倍增材料，形成电子倍增层；在电子倍增层上施加绝缘材料至完全覆盖柱形阵列，形成绝缘层；对得到的结构中绝缘层所在的表面进行磨平、抛光，直至露出柱形阵列的顶端；去除基底并对该结构中与基底相结合的表面进行研磨、抛光，至露出柱形阵列的底端；去除柱形阵列，得到具有通孔且通孔上包覆有电子倍增层的绝缘层结构；分别在该绝缘层结构的上下表面上除通孔外的地方沉积导电材料，形成输入电极和输出电极；得到所述微通道板；所述柱形阵列的材料选自厚光刻胶；所述绝缘材料为耐高电场击穿的绝缘材料；所述抛光的方法为化学机械抛光，通过该方法实现了绝缘层和电子倍增材料的分离。

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