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恭喜武汉理工大学杜亚娟获国家专利权

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龙图腾网恭喜武汉理工大学申请的专利层错误率差异感知的块内页面磨损均衡控制方法及系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114168492B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111510344.3,技术领域涉及:G06F12/02;该发明授权层错误率差异感知的块内页面磨损均衡控制方法及系统是由杜亚娟;王子烨设计研发完成,并于2021-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

层错误率差异感知的块内页面磨损均衡控制方法及系统在说明书摘要公布了:一种层错误率差异感知的块内页面磨损均衡控制方法,其包括如下步骤:S1、分析3DNANDFlash芯片特性,获得第一参数;S2、以块内页面磨损均衡控制最优效果为目标对第一参数进行调整获得第二参数k,所述第二参数k为小于每页最多可以处理的页面错误量K的一个中间阈值;S3、在需要对闪存块中的页面编程时,根据第二参数k判断是否要对当前页面进行编程,若当前页面的错误率大于k,则释放当前页面。即通过第二参数k来周期性地释放弱页面,使得块内页面磨损均衡。

本发明授权层错误率差异感知的块内页面磨损均衡控制方法及系统在权利要求书中公布了:1.一种层错误率差异感知的块内页面磨损均衡控制方法,其特征在于,其包括如下步骤:S1、分析3DNANDFlash芯片特性,获得第一参数;S2、以块内页面磨损均衡控制最优效果为目标对第一参数进行调整获得第二参数k,所述第二参数k为小于每页最多可以处理的页面错误量K的一个中间阈值;S3、在需要对闪存块中的页面编程时,根据第二参数k判断是否要对当前页面进行编程,若当前页面的错误率大于k,则释放当前页面;即通过第二参数k来周期性地释放弱页面,使得块内页面磨损均衡;所述步骤S1包括:通过分析3DNANDFlash芯片中LSB页面编程延迟与MSB页面编程延迟的对比情况,确定选择释放操作的类型和次数,即释放r-rh次LSB和MSB页面或只释放rh次MSB页面,其中r为每块最大可释放页面数量,rh为前rh个被释放的页面;并通过分析在不同的页面释放率的情况下,随着PEcycle的增大页面BER数量的变化确定页面的释放率,所述页面的释放率为最大可释放的页面数量r;所述步骤S3包括:根据ECC每页最多可以处理的页面错误量K,设置一个小于K的中间阈值k,用于在页面错误量接近其耐久性的极限时,将该页面标记,用于之后的页面释放;所述步骤S3包括:S31、在擦除块之前读取块内页面;S32、获取当前页面的错误量计数n,比较n与预先设定的中间阈值k的大小,当n大于或等于k时,则当前页面的磨损程度达到预设程度,跳转到步骤S34;当nk时,表明此时页面磨损程度未达到预设程度,跳转到步骤S33;S33、判断块内页面是否读取完,在读取完时结束;否则继续读取块内下一个页面,并跳转到步骤S32;S34、判断比较当前释放页面数量q与每块最大可释放页面数量r大小,在q小于r时,跳转到步骤S35;在q等于r时,判断当前块已经达到最大可释放页面量,结束释放;S35、继续判断q是否小于rh,在q小于rh时,对于当前页面进行半释放,并跳转到步骤S33;若q大于rh并且小于r-rh,将需要释放的页面进行全释放,并跳转到步骤S33。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人武汉理工大学,其通讯地址为:430070 湖北省武汉市洪山区珞狮路122号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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