恭喜嘉兴大学贺园园获国家专利权
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龙图腾网恭喜嘉兴大学申请的专利一种利用点缺陷掺杂降低能耗的场效应晶体管器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111430047.8，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权一种利用点缺陷掺杂降低能耗的场效应晶体管器件结构是由贺园园;赵健伟;程娜设计研发完成，并于2021-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种利用点缺陷掺杂降低能耗的场效应晶体管器件结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种利用点缺陷掺杂降低能耗的场效应晶体管器件结构，涉及半导体技术领域，本发明利用点缺陷周期性掺杂提升电流开关比，降低延迟时间和功耗延迟积等性能的场效应晶体管器件结构；该结构分别通过引入SeS取代缺陷和锡空位缺陷实现对SnS2的n型和p型缺陷，改善材料的电学性能。在此基础上，使用点缺陷掺杂后的Sn4S7Se和Sn5S8分别作为沟道材料构建双栅极n型和p型场效应晶体管，通过可控地调节沟道区域的载流子类型和浓度，提高门电压对器件电流的调控能力，降低延迟时间和亚阈值摆幅，使器件各项性能指标达到2028年半导体技术路线对场效应晶体管高性能和低能耗的技术要求。
本发明授权一种利用点缺陷掺杂降低能耗的场效应晶体管器件结构在权利要求书中公布了：1.一种利用点缺陷掺杂降低能耗的场效应晶体管器件结构，其特征在于，所述的结构包括源极1、漏极2以及源极1、漏极2之间的沟道区3；所述的沟道区3包括中间层的沟道材料，所述的沟道材料上表面依次设置顶栅5、顶电极7，所述的沟道材料下表面依次设置底栅6、底电极8，所述的沟道材料为Sn4S7Se沟道材料9；所述的Sn4S7Se沟道材料9为在每4个SnS2晶胞中用一个硒原子取代掺杂一个硫原子，形成n型掺杂的Sn4S7Se晶胞。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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