上海华力集成电路制造有限公司李勇获国家专利权
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龙图腾网获悉上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种工艺沟道的构造方法、场效应管、存储介质及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121803B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111375639.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种工艺沟道的构造方法、场效应管、存储介质及设备是由李勇设计研发完成，并于2021-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种工艺沟道的构造方法、场效应管、存储介质及设备在说明书摘要公布了：本发明属于微电子技术领域，尤其涉及一种工艺沟道的构造方法、场效应管、存储介质及相关设备；通过采用本发明实施例公开的工艺沟槽结构，可将高迁移率的材料置于鳍式结构之中，通过进一步构造隔离结构，即可获得相应的器件或功能结构，改进了平面结构在电学特性上的缺陷和不足。
本发明授权一种工艺沟道的构造方法、场效应管、存储介质及设备在权利要求书中公布了：1.一种工艺沟道的构造方法，其特征在于，包括：构造第一工艺区与第二工艺区于衬底（100）之上；所述第一工艺区包括至少两条工艺沟道，所述至少两条工艺沟道之间构造有至少一组工艺复合层；所述工艺复合层用于构造鳍结构；其中，所述工艺复合层由凸起的衬底（100）台阶、第一介质层（101）和第二介质层（102）构成；填充与所述第一介质层（101）同型的第一介质于所述第一工艺区形成第一中间件；回刻所述第一中间件的所述第一工艺区；在所述第一工艺区形成第一台阶（401）；构造第三介质（103）到所述第一台阶（401）区域，直至所述第三介质（103）与所述第二介质层（102）齐平形成第二中间件；打开所述第二中间件于所述第二工艺区的区域；形成第二台阶（402）；其中，所述第二台阶（402）在所述第一台阶（401）台阶深度的基础上进一步打开预设的第一鳍深度，并形成第三中间件；填充第四介质（104）到所述第三中间件位于所述第二工艺区的沟槽直至高于所述第三介质远离所述衬底（100）的一侧；形成由所述第四介质为填充物的鳍型结构；所述鳍型结构包裹于所述衬底（100）、所述第一介质（101）及所述第三介质（103）之间；所述鳍型结构在远离所述衬底（100）的一侧开放于所述第二工艺区之外；所述第四介质包括SiGe或Ge。
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