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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121802B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111351584.3，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法是由岳庆文;夏禹设计研发完成，并于2021-11-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法，包括：步骤一、完成栅极结构的形成工艺；步骤二、形成用于实现应力记忆技术的具有拉应力的第一氮化硅层，包括：步骤21、采用ALD工艺生长具有拉应力的第一氮化硅子层；步骤22、采用CVD工艺生长具有拉应力的第二氮化硅子层；由第一和第二氮化硅子层叠加形成第一氮化硅层；利用ALD工艺的台阶覆盖性好于CVD工艺的台阶覆盖性的特点，提高第一氮化硅层的台阶覆盖性并从而避免第一氮化硅层在间隔区的顶部产生封口，使位于栅极结构的顶部表面、侧面和所述间隔区的底部表面上的第一氮化硅层的厚度达到要求值。本发明能改善位于栅极结构侧面和间隔区底部表面上的SMT氮化硅厚度，从而能提高沟道区应力。

本发明授权采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种采用应力记忆技术的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在半导体衬底表面完成栅极结构的形成工艺，栅极结构包括多个，被所述栅极结构所覆盖的区域形成半导体器件的沟道区；各所述栅极结构之间具有间隔区；步骤二、形成用于实现应力记忆技术的具有拉应力的第一氮化硅层，包括如下分步骤：步骤21、采用ALD工艺生长具有拉应力的第一氮化硅子层，所述第一氮化硅子层覆盖在所述栅极结构的顶部表面、侧面和所述间隔区的底部表面上；步骤22、采用CVD工艺生长具有拉应力的第二氮化硅子层，所述第二氮化硅子层形成在所述第一氮化硅子层的表面上；由所述第一氮化硅子层和所述第二氮化硅子层叠加形成所述第一氮化硅层；利用ALD工艺的台阶覆盖性好于CVD工艺的台阶覆盖性的特点，提高所述第一氮化硅层的台阶覆盖性并从而避免所述第一氮化硅层在所述间隔区的顶部产生封口，使位于所述栅极结构的顶部表面、侧面和所述所述间隔区的底部表面上的所述第一氮化硅层的厚度达到要求值。

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