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龙图腾网获悉重庆大学;国家电网有限公司;国网重庆市电力公司电力科学研究院申请的专利一种考虑铁芯深度饱和特性的三相三柱变压器改进BCTRAN仿真结构及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114372433B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111333532.3，技术领域涉及：G06F30/367；该发明授权一种考虑铁芯深度饱和特性的三相三柱变压器改进BCTRAN仿真结构及方法是由罗骁枭;司马文霞;李永福;杨鸣;王谦;龙洋;袁涛;孙魄韬;雷俊豪;程可昕;许晟铭;王霖设计研发完成，并于2021-11-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种考虑铁芯深度饱和特性的三相三柱变压器改进BCTRAN仿真结构及方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种考虑铁芯深度饱和特性的三相三柱变压器改进BCTRAN仿真结构及方法，方法步骤为：1建立三相三柱变压器BCTRAN矩阵；2计算变压器激励侧电流基频分量Ik及激励侧端口电压基频分量Uk；3计算输入电流Ibctk；4计算变压器端口励磁支路深度饱和电感Lsatk；5计算变压器所有端口深度饱和电感，得到端口完整励磁支路。结构包括BCTRAN参数模块、励磁支路、理想变压器和绕组电阻；本发明利通过将表征铁芯空间励磁特性差异的励磁支路添加在BCTRAN模型端口上，建立考虑铁芯深度饱和特性的改进BCTRAN模型，实现对变压器不同端口饱和特性的精准表征。

本发明授权一种考虑铁芯深度饱和特性的三相三柱变压器改进BCTRAN仿真结构及方法在权利要求书中公布了：1.一种考虑铁芯深度饱和特性的三相三柱变压器改进BCTRAN仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：1获取待模拟三相三柱变压器正序短路电感、零序短路电感、零序励磁电感，并建立三相三柱变压器BCTRAN矩阵；2计算变压器激励侧电流基频分量Ik及激励侧端口电压基频分量Uk，即：Uk＝NrUTk-ITkRkNk1Ik＝NkITkNr2式中，Rk表示第k相电阻；k＝A,B,C,a,b,c；Nr、Nk、UTk、ITk分别表示理想变压器公共匝数侧变比、理想变压器外部端口侧变比、理想变压器外部端口电压、理想变压器公共匝数侧电压；3计算输入电流Ibctk，即：Ibctk＝An,:U3U＝[UAUaUBUbUCUc]T4式中，An,:是1×6阶行向量，表示6×6阶BCTRAN矩阵的第n行；U是由激励侧端口电压基频分量Uk组成的6×1阶列向量；4计算变压器端口励磁支路深度饱和电感Lsatk，即： 式中，ω为角频率；5计算变压器所有端口深度饱和电感，得到端口完整励磁支路。

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