昆明物理研究所宋欣波获国家专利权
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龙图腾网获悉昆明物理研究所申请的专利一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114050199B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111293921.8，技术领域涉及：H10F30/221；该发明授权一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备是由宋欣波;肖婷婷;朱琴;李德香;钟科;封晓杰;龚晓霞设计研发完成，并于2021-11-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备在说明书摘要公布了：本发明涉及一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备，属于红外探测器技术领域。所述芯片包括锑化铟晶片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜以及金属电极；钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的锑化铟晶片的一个表面上，与第一P型掺杂区相对应的钝化膜区域加工有欧姆孔，金属电极沉积在欧姆孔内以及欧姆孔周围的钝化膜上，且沉积的金属电极与第二P型掺杂区对应的钝化膜区域不接触。本发明通过对芯片内部P型掺杂区的结构设计，解决了像元区之间的串音问题，同时也能降低漏电流；而且该芯片的制备工艺简单，具有良好的可操作性和可行性，为优化芯片串音和漏电流提供了一种有效途径，推进了红外探测器行业的发展。
本发明授权一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片及其制备在权利要求书中公布了：1.一种锑化铟平面型焦平面探测器芯片，其特征在于：所述探测器芯片包括锑化铟晶片、第一P型掺杂区、第二P型掺杂区、钝化膜以及金属电极；锑化铟晶片的导电类型为N型；第一P型掺杂区是在锑化铟晶片的像元中心区掺杂为P型，第二P型掺杂区是在相邻两个第一P型掺杂区之间的非掺杂区掺杂成为P型，第一P型掺杂区和第二P型掺杂区不接触；钝化膜为氧化硅膜、氮化硅膜或者氧化铝膜中的一种；金属电极从上到下是由金膜、铂膜、镍膜、钛膜按顺序组成的复合膜；钝化膜沉积在含有第一P型掺杂区和第二P型掺杂区的锑化铟晶片的一个表面上，与第一P型掺杂区相对应的钝化膜区域加工有欧姆孔，金属电极沉积在欧姆孔内以及欧姆孔周围的钝化膜上，且沉积的金属电极与第二P型掺杂区对应的钝化膜区域不接触；锑化铟晶片的表面划痕数量小于3条，腐蚀坑密度小于25个cm2；钝化膜的厚度为100nm~700nm。
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