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龙图腾网恭喜湖北科技学院申请的专利一种可用于相位调制编码的非周期光子多层结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113534505B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110985777.8，技术领域涉及：G02F1/01；该发明授权一种可用于相位调制编码的非周期光子多层结构是由倪浩;刘芳华设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可用于相位调制编码的非周期光子多层结构在说明书摘要公布了：本发明提供了一种可用于相位调制编码的非周期光子多层结构，属于相位调制编码器技术领域。非周期光子多层结构包括两个呈宇称‑时间对称分布的Thue‑Morse序列，Thue‑Morse序列SN的迭代规则为：当N＝1时，S2＝A，当N≥2时SN＝SN‑1SN‑1中的A由AB代替，SN‑1中的B由BA代替，A为第一电介质层；B为第二电介质层；其中下标N为序列的序数，第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片，Thue‑Morse序列中还存在两层石墨烯薄片，石墨烯薄片分别嵌入在相邻两个第二电介质层之间。本发明可形成相位跳变，以应用于数值编码。

本发明授权一种可用于相位调制编码的非周期光子多层结构在权利要求书中公布了：1.一种可用于相位调制编码的非周期光子多层结构，其特征在于，所述非周期光子多层结构包括两个呈宇称-时间对称分布的Thue-Morse序列，所述Thue-Morse序列SN的迭代规则为：当N＝1时，S1＝A，当N≥2时，将SN-1中的A由AB代替、SN-1中的B由BA代替后得到SN，A为第一电介质层；B为第二电介质层；其中下标N为序列的序数，第一电介质层和第二电介质层为两种折射率不等的均匀电介质薄片，所述Thue-Morse序列中还存在两层石墨烯薄片层，所述石墨烯薄片层分别嵌入在相邻两个第二电介质层之间；位于非周期光子多层结构对称中心一侧的第一电介质层称之为第一损耗电介质层，通光状态下的折射率表示为na；位于非周期光子多层结构对称中心另一侧的第一电介质层称之为第一增益电介质层，通光状态下的折射率表示为na'；与第一增益电介质层同侧的第二电介质层称之为第二增益电介质层，通光状态下的折射率表示为nb；与第一损耗电介质层同侧的第二电介质层称之为第二损耗电介质层，通光状态下的折射率表示为nb'；na＝nA+0.01qi，na'＝nA-0.01qi，nb＝nB-0.01qi，nb'＝nB+0.01qi，其中i为虚数单位，q为增益-损耗因子，nA为第一电介质层折射率的实部，nB为第二电介质层折射率的实部；第一电介质层和第二电解质层的厚度均为各自折射率对应的14光学波长；损耗通过掺杂铁离子来实现，增益通过非线性二波混频得到，入射光为横磁波，从多层电介质结构的任一侧垂直入射；当某波长值的入射光正、反向入射时，0反射率点轨迹曲线发生分裂，这些0反射率点在归一化频率轴上的位置是增益损耗因子的函数，每个0反射率点都是光子多层在PT对称相和非对称相之间相互转换的临界点；在这些转换临界点，反射系数相位φrf+φrb2都会产生±π2的跳变，用于相位编码，其中，rf和rb分别表示正向和反向入射的复值反射系数，φrf和φrb分别表示正向入射的复值反射系数相位和反向入射的复值反射系数相位；同时，可改变增益-损耗因子或石墨烯的化学势来实现对可隐身入射光的波长调整。

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