恭喜长江存储科技有限责任公司石艳伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜长江存储科技有限责任公司申请的专利具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113678253B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180002506.4，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法是由石艳伟;王言虹;甘程;陈亮;刘威;夏志良;周文犀;张坤;杨远程设计研发完成，并于2021-06-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法在说明书摘要公布了：在某些方面中，公开了一种用于形成三维3D存储器装置的方法。在第一衬底上形成包括NAND存储器串的阵列的第一半导体结构。在第二衬底上形成包括凹陷栅极晶体管的第二半导体结构。所述凹陷栅极晶体管包括深入到所述第二衬底中的凹陷栅极结构。以面对面的方式键合所述第一半导体结构和所述第二半导体结构，使得所述NAND存储器串的阵列横跨键合界面耦接至所述凹陷栅极晶体管。
本发明授权具有凹陷栅极晶体管的外围电路及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种用于形成三维3D存储器装置的方法，包括：在第一衬底上形成包括NAND存储器串的阵列的第一半导体结构；在第二衬底上形成包括外围电路的第二半导体结构，所述外围电路包括平坦栅极晶体管和凹陷栅极晶体管，所述凹陷栅极晶体管包括深入到所述第二衬底中的凹陷栅极结构，其中，形成所述第二半导体结构包括：在第一器件层中形成所述凹陷栅极晶体管；以及在所述第一器件层上方的第二器件层中形成平坦栅极晶体管；以及以面对面的方式键合所述第一半导体结构和所述第二半导体结构，使得所述NAND存储器串的阵列横跨键合界面耦接至所述凹陷栅极晶体管。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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