恭喜北京大学魏进获国家专利权
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龙图腾网恭喜北京大学申请的专利一种低动态电阻增强型GaN器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115472686B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110726646.8，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种低动态电阻增强型GaN器件是由魏进;吴妍霖;杨俊杰;王茂俊;沈波设计研发完成，并于2021-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低动态电阻增强型GaN器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低动态电阻增强型GaN器件，在传统的增强型HEMT增强型器件制备工艺中，通过选择性刻蚀p‑GaN外延层被引入一个额外的P型掺杂的GaN薄层即p‑GaN薄层。这种器件结构中p‑GaN薄层形成的表面陷阱屏蔽效应和空穴注入效应有效地抑制了器件中陷阱的电离，对电流崩塌效应具有极强的抑制作用，因此，改善了GaN器件的电阻退化情况，提高了器件的动态稳定性，优化了器件的导通特性。
本发明授权一种低动态电阻增强型GaN器件在权利要求书中公布了：1.一种增强型GaNHEMT器件，包括衬底和在衬底上从下往上依次层叠的缓冲层、GaN沟道层和AlGaN势垒层，其特征在于，通过选择性刻蚀AlGaN势垒层上的p-GaN外延层形成p-GaN帽层和p-GaN薄层，该p-GaN薄层覆盖在AlGaN势垒层表面且与p-GaN帽层相连；源极和漏极设于AlGaN势垒层上表面，栅极位于p-GaN帽层上表面，所述栅极和p-GaN薄层位于所述源极和漏极之间，所述p-GaN薄层位于所述栅极和漏极之间；无栅极偏压时，p-GaN帽层和p-GaN薄层下不存在二维电子气；当栅极外加偏压时，在p-GaN帽层和p-GaN薄层下方的势垒层下感应出二维电子气；所述p-GaN薄层通过一金属电极与漏极相连，该金属电极与p-GaN薄层之间形成肖特基接触。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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