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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115513174B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110699501.3，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权半导体结构及其形成方法是由于海龙;荆学珍;郭雯;段超设计研发完成，并于2021-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底包括第一导电结构和器件结构，所述基底还包括第一介质层、第二介质层、刻蚀停止层，第二介质层内具有电阻层；在第二介质层内形成第一开口和第二开口，第一开口底部暴露出第一导电结构上的刻蚀停止层，第二开口底部暴露出电阻层；采用选择性成膜工艺，在暴露的电阻层表面形成中间导电膜；在形成中间导电膜后，对暴露的刻蚀停止层进行刻蚀，直至暴露出第一导电结构表面；对暴露的刻蚀停止层进行刻蚀后，在第一开口内形成第二导电结构；在对暴露的刻蚀停止层进行刻蚀后，在第二开口内形成第三导电结构。从而，能够在降低半导体结构制造工艺难度的同时，使半导体结构的性能和可靠性较好。

本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底，所述基底包括第一导电结构和器件结构，所述基底还包括位于所述第一导电结构和器件结构之间的第一介质层、位于第一介质层上的第二介质层、以及位于第一介质层和第二介质层之间的刻蚀停止层，所述第二介质层内具有电阻层；位于第二介质层内的第二导电结构，所述第二导电结构贯穿刻蚀停止层，所述第二导电结构与第一导电结构顶面接触；位于第二介质层内的中间导电膜，所述中间导电膜还位于所述电阻层顶面；位于第二介质层内的第三导电结构，所述第三导电结构还位于所述中间导电膜表面；其中，所述中间导电膜是在形成所述第二导电结构之前所形成的，用于在形成第二导电结构的过程中保护所述电阻层；所述中间导电膜的材料包括无氟钨；所述电阻层的材料包括氮化钛；形成所述无氟钨的选择性成膜工艺包括选择性原子层沉积工艺；所述选择性原子层沉积工艺采用的反应气体包括五氯化钨。

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