恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司陈建获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115132701B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110321709.1，技术领域涉及：H01L23/528；该发明授权半导体结构及其形成方法是由陈建;王胜;王彦设计研发完成，并于2021-03-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其方法包括：提供衬底，所述衬底包括基底，和位于所述基底表面的金属层；在所述衬底上形成介质层以及位于所述介质层内的接触孔，所述接触孔暴露出部分所述金属层表面；对所述介质层表面和所述接触孔侧壁表面进行甲基化处理；所述甲基化处理后，对所述金属层表面进行氢气等离子体处理；所述氢气等离子体处理后，在所述接触孔内形成导电插塞，所述甲基化处理使所述羟基悬挂键被甲基键所代替，去除了羟基悬挂键的同时，不会引入氧离子，利于导电插塞材料在金属层表面的选择性生长，可以形成较低缺陷密度的导电插塞材料，从而提高形成的导电插塞的性能，得到较低电阻率的导电插塞。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括基底，和位于所述基底表面的金属层；在所述衬底上形成介质层以及位于所述介质层内的接触孔，所述接触孔暴露出部分所述金属层表面，所述接触孔侧壁和所述介质层表面具有羟基悬挂键；对所述介质层表面和所述接触孔侧壁表面进行甲基化处理，所述甲基化处理工艺包括干法处理工艺，所述干法处理工艺包括等离子处理工艺，所述等离子处理工艺的工艺参数包括：采用的等离子气体包括直链烷烃，所述甲基化处理使所述羟基悬挂键被甲基键所代替，去除了羟基悬挂键的同时，不会引入氧离子；所述甲基化处理后，对所述金属层表面进行氢气等离子体处理；所述氢气等离子体处理后，在所述接触孔内形成导电插塞。
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