恭喜高通股份有限公司B-C.谢获国家专利权
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龙图腾网恭喜高通股份有限公司申请的专利主动深度感测图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114930185B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080091165.8，技术领域涉及：G01S7/481；该发明授权主动深度感测图像传感器是由B-C.谢;S.R.戈马设计研发完成，并于2020-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本主动深度感测图像传感器在说明书摘要公布了：本公开的各方面涉及一种图像传感器。示例装置包括图像传感器，该图像传感器包括一个或多个像素。该一个或多个像素中的每个像素包括光电探测器，并且该光电探测器包括包含锗的光敏表面。在一些实施方式中，该光电探测器包括光电二极管，该光电二极管包括本征硅层，该本征硅层掺杂有锗或包含锗晶体。本征层可以位于不包含锗的p‑层和n‑层之间。本征层可以被配置为吸收在本征层处接收的光的光子。光可以包括用于主动深度感测的发射光的一个或多个反射。例如，发射光可以被调频并且具有用于间接飞行时间深度感测的第一波长。采样电路可以产生指示发射光与发射光的反射之间的相位差的电压。
本发明授权主动深度感测图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种装置，包括：图像传感器，所述图像传感器包括一个或多个像素，其中所述一个或多个像素中的每个像素包括光电探测器，其中所述光电探测器包括光电二极管，所述光电二极管包括：不包含锗的p-层；不包含锗的n-层；所述p-层与所述n-层之间的光敏本征层，其中所述光敏本征层包括锗并被配置为产生电流；n-阱，耦合到所述光敏本征层或所述n-层之一，其中所述n-阱被配置为接收所述电流；以及发射场效应晶体管，被配置为输出来自所述n-层的所述电流。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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