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龙图腾网恭喜剑桥企业有限公司申请的专利用于制备单壁碳纳米管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114929620B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080084066.7，技术领域涉及：C01B32/162；该发明授权用于制备单壁碳纳米管的方法是由A.博伊斯;B.M.格雷夫斯;X.张设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制备单壁碳纳米管的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及包含单壁碳纳米管SWCNT的碳材料例如碳纳米材料的生产，以及所述碳材料自身。

本发明授权用于制备单壁碳纳米管的方法在权利要求书中公布了：1.用于生产包含SWCNT的碳材料的方法，其中所述方法包含：a产生悬浮在承载气体中的难熔金属材料的流，其中难熔金属的流通过气溶胶化装置产生，所述气溶胶化装置为溶液雾化器；b将所述难熔金属材料的流引入到温度受控的流通式炉中；c使所述难熔金属材料的流经受足以生成纳米颗粒状难熔金属物质的流的温度，其中使所述难熔金属材料的流暴露于足以使所述难熔金属材料蒸发的第一温度区和位于所述第一温度区下游的第二温度区，其中所述第二温度区足以使所述难熔金属物质再成核以生成所述纳米颗粒状难熔金属物质的所述流；d从所述纳米颗粒状难熔金属物质的流分离展现选择的纳米颗粒尺寸分布的纳米颗粒状难熔金属物质的离散流；e将所述纳米颗粒状难熔金属物质的离散流引入到温度受控的反应器中；f向所述温度受控的反应器中释放还原剂的流，其中使所述还原剂的流和纳米颗粒状难熔金属物质的离散流暴露于足以生成纳米颗粒状难熔金属的流的第三温度区；g向所述温度受控的反应器中释放碳源的流；以及h使所述纳米颗粒状难熔金属和碳源暴露于足以产生所述包含SWCNT的碳材料的第四温度区，所述包含SWCNT的碳材料可适配成负载的或自支撑形式，或可从所述温度受控的反应器收集；其中所述难熔金属材料为难熔金属化合物，其中步骤a包含：a’将所述难熔金属化合物的液体制剂雾化，其中所述难熔金属化合物的液体制剂为难熔金属盐溶液并且所述难熔金属盐溶液的浓度为相对于金属原子计1.0mM或更低，其中所述难熔金属为由以下组成的组中的一种或多种：W、Mo、Re、V、Nb、Ir、Ru、Os和Rh，其中所述纳米颗粒状难熔金属物质的离散流中的纳米颗粒状难熔金属物质的几何平均直径GMD在1至5nm范围中，其中所述难熔金属物质为难熔金属氧化物，其中所述纳米颗粒状难熔金属的几何平均直径GMD为2nm或更低，其中所述纳米颗粒状难熔金属物质的直径的几何标准偏差GSD小于1.1，其中所述还原剂为氢，其中C:H1:15并且C:H为碳源的流和还原剂的流中的碳:氢比，其中所述难熔金属化合物在第一温度区分解并锻烧，以形成难熔金属氧化物。

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