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龙图腾网恭喜全球能源互联网研究院有限公司申请的专利一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112216670B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011224091.9，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法是由韩荣刚;石浩;张西子设计研发完成，并于2020-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种高压功率半导体芯片的封装结构与封装方法，高压功率半导体芯片的封装结构包括基板；位于部分集电极导电层上且与集电极导电层电学连接的高压功率半导体芯片，高压功率半导体芯片的发射极与发射极导电层电学连接；集电极引出端子，位于集电极导电层上且与集电极导电层电学连接；发射极引出端子，位于发射极导电层上且与发射极导电层电学连接；集电极引出端子包括第一段区，发射极引出端子包括与第一段区相对设置的第二段区，第一段区朝向发射极引出端子凹进，和或，第二段区朝向集电极引出端子凹进；第一绝缘填充层，第一段区与第二段区之间，该封装结构具有较小的寄生电感，因此适用于高压功率半导体芯片封装。

本发明授权一种高压功率半导体芯片的封装结构和封装方法在权利要求书中公布了：1.一种高压功率半导体芯片的封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板表面设置有分立的发射极导电层和集电极导电层；位于部分所述集电极导电层上且与集电极导电层电学连接的高压功率半导体芯片，所述高压功率半导体芯片与所述基板相背的一面具有发射极，所述发射极与所述发射极导电层电学连接；所述集电极导电层与所述发射极导电层相对设置，所述高压功率半导体芯片位于所述集电极引出端子和所述发射极引出端子之间；集电极引出端子，所述集电极引出端子位于所述集电极导电层上且与所述集电极导电层电学连接；发射极引出端子，所述发射极引出端子位于所述发射极导电层上且与所述发射极导电层电学连接；所述集电极引出端子包括第一段区，所述发射极引出端子包括与第一段区相对设置的第二段区，第一段区朝向所述发射极引出端子凹进，和或，所述第二段区朝向所述集电极引出端子凹进；第一绝缘填充层，第一绝缘填充层位于所述第一段区与所述第二段区之间；所述高压功率半导体芯片的封装结构还包括：底板；所述基板位于部分底板上；绝缘框体；所述绝缘框体包括：中空结构的框架本体，所述框架本体位于基板周围的所述底板上；搭载在所述框架本体上的框盖，所述框盖中具有贯穿所述框盖的集电极开口和发射极开口；所述集电极引出端子位于所述框架本体中且延伸至集电极开口外，所述发射极引出端子位于所述框架本体中且延伸至发射极开口外，第一段区和第二段区位于所述框架本体的内部；所述框盖包括框盖本体和与所述框盖本体连接的绝缘填充层，所述绝缘填充层位于所述集电极开口和发射极开口之间，所述绝缘填充层包括第一绝缘填充层，第一绝缘填充层相对于所述框盖本体朝向底板延伸。

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