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龙图腾网恭喜天合光能股份有限公司;天合光能(常州)科技有限公司申请的专利图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112164728B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011184322.8，技术领域涉及：H10F77/20；该发明授权图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法是由胡匀匀;徐冠超;冯志强;杨阳;安亦奇设计研发完成，并于2020-10-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明属于晶体硅太阳能电池技术领域，涉及一种图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法，包括衬底，衬底正面和背面分别设有正面钝化层和背面钝化层，衬底正面设有正面金属栅线，衬底背面设有背面金属栅线，衬底与背面金属栅线之间依次设有超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层，掺杂多晶硅层连接背面金属栅线，超薄隧穿氧化层和掺杂多晶硅层的形状相同，每相邻的两条背面金属栅线之间还设有空白区，空白区的边缘形状与超薄隧穿氧化层或掺杂多晶硅层的边缘形状吻合。本发明采用一种背面图形化的钝化接触结构，能降低金属接触区域的载流子复合，同时具有良好的接触性能。

本发明授权图形化的钝化接触太阳能电池及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种图形化的钝化接触太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：将单晶硅片经过制绒、扩散制结、刻蚀和抛光或二次制绒后得到衬底，在衬底的正面和背面同时制备一层超薄隧穿氧化硅层，在衬底正面和背面的隧穿氧化硅层上再制备一层非晶硅层，或者只在衬底背面超薄隧穿氧化硅层上再制备一层非晶硅层，在非晶硅层上沉积一层掩膜，在衬底背面掩膜上印刷耐腐蚀油墨，之后用氢氟酸去除没有印刷耐腐蚀油墨区域的掩膜，再用氨水和双氧水的混合水溶液去除油墨，去除衬底背面无掩膜保护区域的非晶硅层，以及正面的非晶硅层，之后用氢氟酸去除无非晶硅区域的隧穿氧化层以及剩下的掩膜，得到制程片，将制程片在高温下进行硼扩散或磷扩散，激活掺杂原子，同时使非晶硅全部转变为多晶硅，形成掺杂多晶硅层，在衬底的正面和背面分别制备钝化层，并印刷金属栅线，经过丝网印刷和烧结后，得到成品太阳能电池；其中，所述的掺杂多晶硅层包括金属接触区域和非金属接触区域，所述的非金属接触区域在所述衬底上的正投影的形状包括若干个相互连接的三角形。

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