恭喜朗姆研究公司格雷戈里·J·卡恩斯获国家专利权
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龙图腾网恭喜朗姆研究公司申请的专利用于防止唇形密封件镀出的晶片屏蔽获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114502778B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080070051.5，技术领域涉及：C25D5/02；该发明授权用于防止唇形密封件镀出的晶片屏蔽是由格雷戈里·J·卡恩斯;蔡利平;雅各布·柯蒂斯·布利肯斯德弗;史蒂文·T·迈耶设计研发完成，并于2020-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于防止唇形密封件镀出的晶片屏蔽在说明书摘要公布了：通过最小化或消除流向唇形密封件的离子电流来最小化或消除在半导体衬底上电沉积金属期间金属在唇形密封件上的不希望的沉积唇形密封件镀出。例如，可以进行电沉积以避免在电镀过程中唇形密封件与半导体衬底上的阴极偏置导电材料接触。这可以通过屏蔽靠近唇形密封件的小选定区域以抑制靠近唇形密封件的金属的电沉积并避免金属与唇形密封件接触来实现。在一些实施方案中，通过在将金属电镀成贯穿抗蚀剂特征的过程中顺序地使用不同内径的唇形密封件来实现屏蔽，其中在第一电镀步骤期间使用具有较小直径的唇形密封件并将其用作在选定区域中阻挡电沉积的屏蔽物。在第二个电镀步骤中，使用较大内径的唇形密封件。
本发明授权用于防止唇形密封件镀出的晶片屏蔽在权利要求书中公布了：1.一种将金属电沉积到具有多个贯穿掩模的凹陷特征的半导体衬底上同时防止或减少金属在电镀装置的唇形密封件上的沉积的方法，该方法包括：a使用第一唇形密封件在第一电镀槽中将第一金属电沉积到所述半导体衬底的所述贯穿掩模的凹陷特征中；以及b在a之后，使用内径大于所述第一唇形密封件的第二唇形密封件在第二电镀槽中将第二金属电沉积到所述贯穿掩模的凹陷特征中，其中所述半导体衬底包括通过第一唇形密封件而不是通过第二唇形密封件屏蔽以免暴露于电解液的选定区域，使得所述第一金属不被电沉积在所述选定区域中并且使得所述第二金属被允许电沉积在所述选定区域中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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