伊鲁米纳公司A·埃玛迪获国家专利权
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龙图腾网获悉伊鲁米纳公司申请的专利制造在平行于有源表面的表面上具有电触点的晶片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113302726B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080007646.6，技术领域涉及：H01L21/56；该发明授权制造在平行于有源表面的表面上具有电触点的晶片是由A·埃玛迪;J·阿达伊;A·阿甘;A·里瓦尔设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本制造在平行于有源表面的表面上具有电触点的晶片在说明书摘要公布了：本文提供的内容包括用于制造装置、传感器系统的各方面的方法的各种示例。该方法可包括获得粘结到硅晶片的上表面的第一载体。该晶片包括延伸穿过钝化叠堆中的开口的硅穿孔TSV，其中电触点耦接到TSV的通过这些开口暴露的部分。该方法可包括使该第一载体从该硅晶片的该上表面脱粘。该方法可包括将该硅晶片切割成包括管芯的子部分。
本发明授权制造在平行于有源表面的表面上具有电触点的晶片在权利要求书中公布了：1.一种用于制造在传感器系统中使用的设备的方法，包括：获得粘结到硅晶片的上表面的第一载体，其中一个或多个硅穿孔延伸穿过所述硅晶片和钝化叠堆，其中所述钝化叠堆设置在所述硅晶片的底表面下方，其中所述一个或多个硅穿孔中的每个硅穿孔的一部分通过所述钝化叠堆中的一个或多个开口的开口暴露，其中每个暴露部分耦接到一个或多个电触点；使所述第一载体从所述硅晶片的所述上表面脱粘；以及将所述硅晶片切割成包括管芯的子部分，使得每个管芯包括所述硅晶片的所述上表面的一部分、所述一个或多个硅穿孔中的至少一个硅穿孔、所述管芯的第二表面上的所述一个或多个电触点中的至少一个电触点，所述硅晶片的所述上表面的所述部分包括有源表面，所述管芯的所述第二表面平行于所述有源表面，其中所述方法还包括：形成扇出区域，所述形成包括：将所述管芯的所述有源表面耦接到扇出载体，所述耦接形成与每个管芯的每个有源表面的第一边缘相邻的第一空间和与每个管芯的每个有源表面的第二边缘相邻的第二空间；形成模塑层，具体通过在所述管芯的所述第二表面上以及在每个第一空间和每个第二空间中沉积模具以在所述扇出载体上方形成所述模塑层；以及抛光所述模塑层的顶表面，使得每个管芯的所述第二表面上的所述一个或多个电触点中的所述至少一个电触点与所述模塑层的所述抛光顶表面形成邻接表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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