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龙图腾网恭喜上海富芮坤微电子有限公司申请的专利片上电容电路及基于片上电容电路的低噪声晶体振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114142809B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010974001.1，技术领域涉及：H03B5/04；该发明授权片上电容电路及基于片上电容电路的低噪声晶体振荡器是由李征设计研发完成，并于2020-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本片上电容电路及基于片上电容电路的低噪声晶体振荡器在说明书摘要公布了：本发明提供一种片上电容电路及基于片上电容电路的低噪声晶体振荡器，所述片上电容电路包括：第一片上电容阵列单元，与片外晶体的输入端连接；第二片上电容阵列单元，与所述片外晶体的输出端连接；低噪声电源产生模块，分别与所述第一片上电容阵列单元和第二片上电容阵列单元连接。本发明中所述低噪声电源产生模块向所述第一片上电容阵列单元和第二片上电容阵列单元独立提供低噪声电源，同时在第一片上电容阵列单元和第二片上电容阵列单元的各个开关MOS管的栅极加上滤波电容，并在片上电容阵列中采用部分固定电容结构，从而使片上电容晶体振荡器的相位噪声性能得到了显著的提高。

本发明授权片上电容电路及基于片上电容电路的低噪声晶体振荡器在权利要求书中公布了：1.一种片上电容电路，其特征在于，所述片上电容电路包括：第一片上电容阵列单元，与片外晶体的输入端连接；第二片上电容阵列单元，与所述片外晶体的输出端连接；低噪声电源产生模块，分别与所述第一片上电容阵列单元和第二片上电容阵列单元连接，向所述第一片上电容阵列单元和第二片上电容阵列单元独立提供低噪声电源；通过所述低噪声电源产生模块，所述第一片上电容阵列单元、第二片上电容阵列单元的供电与晶体振荡器的放大缓冲电路的供电进行隔离设置，所述放大缓冲电路包括反向放大电路和输出缓冲级电路；所述低噪声电源产生模块通过电流镜生成偏置电流源，将所述偏置电流源输入负载电阻中形成所述第一片上电容阵列单元和所述第二片上电容阵列单元所需的电源，所述第一片上电容阵列单元和所述第二片上电容阵列单元得电后进行电容阵列的开关控制。

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