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龙图腾网恭喜信越半导体株式会社申请的专利半导体晶圆的评价方法、半导体晶圆的分选方法及器件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114631171B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080075496.2，技术领域涉及：H01L21/304；该发明授权半导体晶圆的评价方法、半导体晶圆的分选方法及器件的制造方法是由铃木顺也;佐藤正和设计研发完成，并于2020-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体晶圆的评价方法、半导体晶圆的分选方法及器件的制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种评价方法，包含以下工序：获得镜面研磨晶圆的整面的厚度方向的形状测量数据；每隔一定的旋转角度在一定间距的点上对晶圆的直径方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分而获得微分分布，比较获得的微分分布，确定切片切断方向；每隔与所确定的切片切断方向即y方向正交的x方向的一定的间隔，以一定的间距对y方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分，获得x‑y网格数据；在y方向上，根据x‑y网格数据，求出包含晶圆的中心的中间部区域中的最大微分值、及与中间部区域相比更靠外侧的上端侧区域及下端侧区域的最大微分值；以及根据各最大微分值，判断有无在器件制造工序中产生缺陷的可能性。由此，提供一种能够有效地评价因切片工序引起的起伏形状的方法。

本发明授权半导体晶圆的评价方法、半导体晶圆的分选方法及器件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体晶圆的评价方法，其特征在于，使用镜面研磨晶圆作为半导体晶圆，并包含以下工序：通过晶圆形状测量机测量所述镜面研磨晶圆的整面的厚度方向的形状，而获得形状测量数据；每隔一定的旋转角度遍及所述镜面研磨晶圆的整面进行：从所述镜面研磨晶圆的整面的形状测量数据中提取直径方向的形状测量数据，在一定间距的点上对提取出的所述直径方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分而获得所述直径方向的形状测量数据的微分分布，然后，比较获得的所有所述直径方向的形状测量数据的微分分布，将包含最大微分值的所述微分分布的直径方向确定为所述镜面研磨晶圆的切片切断方向；设定以确定的切片切断方向及与所述确定的切片切断方向正交的方向为坐标轴的正交坐标，在将所述确定的切片切断方向设为y方向、将与所述确定的切片切断方向正交的方向设为x方向时，每隔所述x方向的一定的间隔，以一定的间距对所述y方向的形状测量数据进行一阶或二阶微分，形成基于所述x方向的一定的间隔与所述y方向的一定的间隔的x-y网格，而获得x-y网格数据；在所述镜面研磨晶圆的所述y方向上，设定包含所述镜面研磨晶圆的中心的中间部区域、及与所述中间部区域相比更靠外侧的上端侧区域及下端侧区域，根据获得的所述x-y网格数据求出所述镜面研磨晶圆的所述中间部区域中的最大微分值、与所述镜面研磨晶圆的所述上端侧区域及所述下端侧区域中的最大微分值；以及根据所述中间部区域及所述上端侧区域与所述下端侧区域的最大微分值，判断有无在器件制造工序中产生缺陷的可能性。

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