恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司金吉松获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171382B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010955122.1，技术领域涉及：H01L21/311；该发明授权半导体结构的形成方法是由金吉松设计研发完成，并于2020-09-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成第一核心层；在所述第一核心层侧壁面形成第一侧墙；在形成所述第一侧墙后，在所述待刻蚀层表面形成第二核心层，所述第一侧墙间隔所述第一核心层和所述第二核心层；形成第一隔断结构和第二隔断结构中的至少一者，所述第一隔断结构位于所述第一核心层内，所述第二隔断结构位于所述第二核心层内。从而，可以形成更小的互连结构的端末间距，且使互连结构的端末间距与预期目标相符。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在所述待刻蚀层表面形成第一核心层；在所述第一核心层侧壁面形成第一侧墙；在形成所述第一侧墙后，在所述待刻蚀层表面形成第二核心层，所述第一侧墙间隔所述第一核心层和所述第二核心层；形成第一隔断结构和第二隔断结构中的至少一者，所述第一隔断结构位于所述第一核心层内，所述第二隔断结构位于所述第二核心层内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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