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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112558416B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010942037.1，技术领域涉及：G03F7/09；该发明授权制造半导体器件的方法是由訾安仁;张庆裕;林进祥设计研发完成，并于2020-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本公开涉及制造半导体器件的方法。一种制造半导体器件的方法，包括在半导体衬底的第一主表面的边缘部分之上形成第一保护层。在半导体衬底的第一主表面之上形成含金属光致抗蚀剂层。去除第一保护层，并且将含金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射。在半导体衬底的第一主表面的边缘部分之上形成第二保护层。对经选择性曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成经图案化的光致抗蚀剂层，并且去除第二保护层。

本发明授权制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体器件的方法，包括：在半导体衬底的第一主表面的边缘部分之上形成第一保护层；在所述半导体衬底的所述第一主表面之上形成第一含金属光致抗蚀剂层；去除所述第一保护层；将所述第一含金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射，以形成在第一方向延伸并且沿着第二方向布置的多个第一潜在图案特征；在所述半导体衬底的所述第一主表面的所述边缘部分之上形成第二保护层；对经选择性曝光的第一含金属光致抗蚀剂层进行显影以形成包括在所述第一方向延伸并且沿着所述第二方向布置的多个第一图案特征的经图案化的光致抗蚀剂层；在所述多个第一图案特征之上形成第二含金属光致抗蚀剂层；去除所述第二保护层；将所述第二含金属光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射，以形成在所述第二方向延伸并且沿着所述第一方向布置的多个第二潜在图案特征；在所述半导体衬底的所述第一主表面的所述边缘部分之上形成第三保护层；对经选择性曝光的第二含金属光致抗蚀剂层进行显影以形成包括在所述第二方向延伸并且沿着所述第一方向布置的多个第二图案特征的经图案化的光致抗蚀剂层；以及去除所述第三保护层。

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