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龙图腾网恭喜美光科技公司申请的专利存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112436013B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010849383.5，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法是由徐丽芳;I·V·恰雷;J·B·德胡特;李健;刘海涛;P·泰萨里欧设计研发完成，并于2020-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述存储器块分别包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的有效沟道材料串延伸穿过绝缘层和导电层。横向间隔开的存储器块中的有效沟道材料串包括存储器平面的一部分。高度上延伸的壁在横向地介于横向紧邻的存储器块之间的存储器平面中，并且其完全包围在存储器平面中横向地介于横向紧邻的存储器块之间的岛。公开了包括方法的其他实施例。

本发明授权存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法在权利要求书中公布了：1.一种包括存储器单元串的存储器阵列，包括：横向间隔开的存储器块，所述存储器块分别包括垂直堆叠，所述垂直堆叠包括交替的绝缘层和导电层，存储器单元的有效沟道材料串在存储器阵列区域中延伸穿过所述绝缘层和所述导电层；所述横向间隔开的存储器块的所述绝缘层和所述导电层从所述存储器阵列区域延伸到与所述存储器阵列区域相邻的阶梯区域中，所述阶梯区域中的所述存储器块的所述绝缘层和所述导电层包括有效阶梯结构，所述有效阶梯结构经由垂直延伸穿过所述绝缘层和所述导电层的多个层的沟槽来相对于彼此横向间隔开，所述有效阶梯结构以及所述沟槽的每一者分别水平地纵向伸长；各个阶梯结构包括一对高度上延伸的壁，所述壁与相应阶梯结构的侧面横向向内间隔开，相对于彼此横向间隔开，并且分别水平地纵向伸长；并且所述各个阶梯结构具有沿着所述沟槽的有效阵列穿通TAV且在所述一对壁之间横向上没有有效的TAV。

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