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龙图腾网恭喜陕西华星电子开发有限公司申请的专利带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片、电容器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111755246B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010728516.3，技术领域涉及：H01G4/12；该发明授权带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片、电容器及制备方法是由蒋小明;姚飞;马永香;韩阿敏设计研发完成，并于2020-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片、电容器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片、电容器及制备方法，包括陶瓷介质瓷体和设置于陶瓷介质瓷体正反面的一对电极，陶瓷介质瓷体的主体为圆柱形；陶瓷介质瓷体正反面对应于一对电极的覆盖区域形成对称的凹槽，电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层；凹槽的顶面高于陶瓷介质瓷体的外侧边缘，使陶瓷介质瓷体的外侧边缘形成倒角结构。与现有技术相比，电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层，周边高防止边缘击穿，溅射掩膜可以使芯片两端电极正对，达到最大的电极正对面积，从而获得最大的电容量，电极的正对也使电场达到最均匀状态能有效的解决电极不对称造成的产品耐压不良等问题。

本发明授权带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片、电容器及制备方法在权利要求书中公布了：1.带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片的制备方法，其特征在于：包括使用所述制备方法制成的带有外倒角碟形结构的陶瓷介质芯片，所述芯片包括陶瓷介质瓷体和设置于陶瓷介质瓷体正反面的一对电极，所述陶瓷介质瓷体的主体为圆柱形；所述陶瓷介质瓷体正反面对应于所述一对电极的覆盖区域形成对称的凹槽，所述电极是通过溅射工艺在凹槽底面形成的电极镀层，通过溅射掩膜将芯片两端电极正对，达到对最大的所述电极正对面积，起到获得对最大电容量的作用；所述凹槽底面以及电极平面均为圆形，所述凹槽底面以及电极平面的中部区域形成凸起，该凸起的侧面与凹槽底面以及电极平面相应的外围区域为圆弧过渡相接，所述凸起的直径d为所述碟形结构的陶瓷介质芯片外径D的14，起到消除电极与引线之间的间隙的作用；所述凹槽的顶面高于陶瓷介质瓷体的外侧边缘，使陶瓷介质瓷体的外侧边缘形成倒角结构；所述制备方法包括：1瓷粉选择根据芯片外径及厚度、电极掩膜直径，计算所需瓷粉的介电常数，选择适配的瓷粉；2成型在旋转压机安装碟形模具，进行瓷粉压制，成型得到生坯；3摆片将生坯装入摇板中，配合摇管以及镊子将生坯连同摇板一起装入承烧板中；4烧成将装载完成的承烧板放入隧道炉中烧成；5烧成瓷体性能测试按照烧成检验规程要求，测量包括直径、厚度、电容量、损耗以及击穿电压在内的各项电性能参数，并根据标准判定是否合格；若不合格，则视为废品；若合格，进行下一步；6溅射将合格的烧成瓷体与电极掩膜配合安装，掩膜由金属材料制成，每套上下两片，每片排列多个内槽，每个内槽直径略大于芯片外径0.1-0.15mm，正好放置一片芯片，每个内槽都放有芯片以后，扣上另外一片掩膜，四角用螺丝固定，仅使凹槽底面露出，固定悬挂于溅射机内，首先底层溅射铜、铬及铟合金，然后表面溅射纯铜，膜厚0.8-1.0微米。

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