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龙图腾网恭喜思睿逻辑国际半导体有限公司申请的专利半导体器件的控制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114144975B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080052824.7，技术领域涉及：H03K19/003；该发明授权半导体器件的控制是由J·L·彭诺科;J·P·莱索设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件的控制在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件、特别是MOS器件的控制，以便降低RTS闪烁噪声。一种电路100包括第一MOS器件103、104和偏压控制器107。所述电路能够至少以第一电路状态PRO和第二电路状态PRST操作，在所述第一电路状态下，所述第一MOS器件活动以促成第一信号Sout，在所述第二电路状态下，所述第一MOS器件不促成所述第一信号。所述偏压控制器能够操作来控制在所述第一MOS器件的一个或多个端子处的电压以在所述第二电路状态的实例期间施加预偏压VPB1、VPB2。所述预偏压被施加来设置所述第一MOS器件内的电荷载流子陷阱的占用状态，以在所述第一电路状态下的后续操作期间限制噪声。在实施方案中，所述偏压控制器被配置为使得所述预偏压的至少一个参数是基于一个或多个操作条件在使用中选择性地可变的。

本发明授权半导体器件的控制在权利要求书中公布了：1.一种电路，所述电路包括第一MOS器件和偏压控制器，其中：所述电路被配置为能够以第一电路状态和第二电路状态操作，在所述第一电路状态下，所述第一MOS器件活动以促成第一信号，在所述第二电路状态下，所述第一MOS器件不促成所述第一信号；所述偏压控制器被配置为能够操作来控制在所述第一MOS器件的一个或多个端子处的电压以在所述第二电路状态的实例期间向所述第一MOS器件施加预偏压，其中所述预偏压被施加来设置所述第一MOS器件内的电荷载流子陷阱的占用状态，以在所述第一电路状态下的后续操作期间限制来自所述第一MOS器件的噪声；并且所述偏压控制器被配置为使得所述预偏压的至少一个参数是基于一个或多个操作条件在使用中选择性地可变的。

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