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龙图腾网恭喜周星工程股份有限公司申请的专利基板处理设备的腔体清理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114097059B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080046163.7，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权基板处理设备的腔体清理方法是由金容玹;金润晶;朴昶均;李栽玩设计研发完成，并于2020-07-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本基板处理设备的腔体清理方法在说明书摘要公布了：根据本发明示例性实施例的腔体清理方法包含用于将基板传送到腔体外并处理腔体的内部的腔体稳定制程。薄膜沉积制程已经于基板上完成。腔体稳定制程包含清理制程及涂布制程。清理制程用于将清理气体注入到腔体中，并侵蚀及清理薄膜沉积制程所产生的多个副产物。涂布制程用于将包含铝Al、锆Zr和铪Hf中的至少一者的气体注入到腔体中，并于腔体的一内壁及安装在腔体内的多个元件的至少一表面上产生一保护膜。

本发明授权基板处理设备的腔体清理方法在权利要求书中公布了：1.一种腔体清理方法，包含用于将一基板传送到一腔体外并处理该腔体的内部的一腔体稳定制程，一薄膜沉积制程已经于该基板上完成，其中该腔体稳定制程包含：一清理制程，用于将一清理气体注入到该腔体中，并侵蚀及清理该薄膜沉积制程所产生的多个副产物；以及一涂布制程，用于将包含铝、锆和铪中的至少一者的气体注入到该腔体中作为一第一涂布气体，并于安装在该腔体内的多个元件及该腔体的一内壁的至少一表面上产生一保护膜，其中该清理气体包含氯和氢，其中该清理制程包含：将该清理气体注入到该腔体中；使包含于该清理气体中的氯及氢反应以产生氯化氢；以及使用氯化氢侵蚀及移除该些副产物，并藉由氯化氢对该些副产物的侵蚀产生多个产物，其中该些产物包含InCl3及ZnCl2其中至少一者，其中，于该涂布制程中产生该保护膜时，该保护膜产生于该些产物上，其中，该涂布制程包含：将该第一涂布气体注入到该腔体中；将一清除气体注入到该腔体中；将包含氧的一第二涂布气体注入到该腔体中；以及在完成该第二涂布气体的注入之后在该腔体内部产生等离子体。

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