恭喜高通股份有限公司S·S·宋获国家专利权
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龙图腾网恭喜高通股份有限公司申请的专利具有包括无阱晶体管的CMOS结构的集成器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114270513B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080058103.7，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权具有包括无阱晶体管的CMOS结构的集成器件是由S·S·宋;H·朴;P·冯设计研发完成，并于2020-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有包括无阱晶体管的CMOS结构的集成器件在说明书摘要公布了：一种集成器件，包括：衬底、第一晶体管和第二晶体管。第二晶体管被配置为耦合到第一晶体管。第一晶体管被配置为用作N型沟道金属氧化物半导体晶体管。第一晶体管包括在衬底之上设置的电介质层；在电介质层之上设置的第一源极；在电介质层之上设置的第一漏极；耦合到第一源极和第一漏极的第一多个沟道；以及围绕多个沟道的第一栅极。第二晶体管被配置为作为P型沟道金属氧化物半导体晶体管。第二晶体管包括电介质层；在电介质层之上设置的第二源极；在电介质层之上设置的第二漏极；耦合到第二源极和第二漏极的第二多个沟道；以及第二栅极。
本发明授权具有包括无阱晶体管的CMOS结构的集成器件在权利要求书中公布了：1.一种集成器件，包括：衬底；以及第一晶体管，形成在所述衬底之上，所述第一晶体管包括：设置在所述衬底之上的电介质层；设置在所述电介质层之上的第一源极；设置在所述电介质层之上的第一漏极；耦合到所述第一源极和所述第一漏极的第一多个沟道，所述第一多个沟道位于所述第一源极与所述第一漏极之间；以及围绕所述第一多个沟道的第一栅极，耦合到所述第一栅极的高K电介质层，其中所述高K电介质层由与所述电介质层不同的材料制成，并且其中所述高K电介质层的部分接触所述衬底，并且被横向地定位到所述电介质层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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