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龙图腾网恭喜罕王微电子(辽宁)有限公司申请的专利一种多晶硅压阻系数测试结构与方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111965426B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010602865.0，技术领域涉及：G01R27/02；该发明授权一种多晶硅压阻系数测试结构与方法是由黄向向;杨敏;洛伦佐·贝尔蒂尼;莱昂纳多·萨尔代利;关健设计研发完成，并于2020-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多晶硅压阻系数测试结构与方法在说明书摘要公布了：一种多晶硅压阻系数测试结构，包括多晶硅电阻，薄膜，衬底，腔体；其中：多晶硅电阻位于薄膜上面，保证每个电阻只受到单一应力分量作用，薄膜为硅或者氧化硅薄膜，外力作用在薄膜上，通过薄膜的应力和压阻效应，改变多晶硅电阻的电阻值；衬底为硅晶圆是测试结构的基底件。一种多晶硅压阻系数测试结构的测试方法，通过对测试结构时间外部应力或者改变温度,使得薄膜受力发生变化，多晶硅电阻阻值发生变化，通过单一电阻阻值变化可以计算出电阻所对应的压阻系数分量。本发明的优点：本发明所述的多晶硅压阻系数测试结构与方法，在MEMS传感器领域中，实现了精准有效的测试多晶硅的压阻系数，解决了传统方案的不足，提升了精度和可靠性。

本发明授权一种多晶硅压阻系数测试结构与方法在权利要求书中公布了：1.一种多晶硅压阻系数测试结构，其特征在于：所述的多晶硅压阻系数测试结构，包括多晶硅电阻1，薄膜2，衬底3，腔体4；其中：多晶硅电阻1位于薄膜2上面，保证每个电阻只受到单一应力分量作用，薄膜2为硅或者氧化硅薄膜，外力作用在薄膜2上，通过薄膜2的应力和压阻效应，改变多晶硅电阻1的电阻值；衬底3为硅晶圆，是测试结构的基底件，腔体4为长方体结构，内部保持有一定压力，密封的腔体4中的压力是已知的；所述的薄膜2为正方形悬浮薄膜，边长为L；多晶硅电阻1的位置位于正方形薄膜对角线距离最近定点14边长的位置，多晶硅电阻1方向平行于一条对角线；所述的多晶硅电阻1为2-8个；所述的多晶硅电阻1形状为条形电阻或交叉型电阻；交叉型电阻由于交叉角度为90度，在同一电阻上，根据不同电学配置，在同一电阻上测量不同压阻系数分量。

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