恭喜台湾积体电路制造股份有限公司吴政达获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路及其形成的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447523B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010522197.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权集成电路及其形成的方法是由吴政达设计研发完成，并于2020-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路及其形成的方法在说明书摘要公布了：本公开的各种实施例涉及一种形成集成电路IC的方法。所述方法包括：在衬底之上形成堆叠的栅极电极及栅极电介质。在衬底及栅极电极之上沉积侧壁间隔件层，其中侧壁间隔件层对栅极电极的侧壁进行衬垫。对侧壁间隔件层实行回蚀以在栅极电极的侧壁上形成侧壁间隔件。回蚀是使用包含氟化氢的刻蚀剂以小于约8埃每分钟的刻蚀速率实行。此外，在侧壁间隔件及栅极电极就位的情况下对衬底进行掺杂，以分别在栅极电极的相对侧上形成一对源极漏极区。
本发明授权集成电路及其形成的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成集成电路的方法，包括：在衬底之上形成堆叠的栅极电极及栅极电介质；沉积覆盖所述衬底及所述栅极电极并对所述栅极电极的侧壁进行衬垫的侧壁间隔件层；对所述侧壁间隔件层进行回蚀以在所述栅极电极的所述侧壁上形成侧壁间隔件，其中所述回蚀是使用包含氟化氢的刻蚀剂以5埃每分钟的刻蚀速率实行；以及在所述侧壁间隔件及所述栅极电极就位的情况下对所述衬底进行掺杂，以分别在所述栅极电极的相对侧上形成一对源极漏极区。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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