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龙图腾网恭喜上海华力集成电路制造有限公司申请的专利一种自对准双重图形制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113782419B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010521377.7，技术领域涉及：H01L21/033；该发明授权一种自对准双重图形制作方法是由邱岩栈;陈颖儒;刘立尧;胡展源设计研发完成，并于2020-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自对准双重图形制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种自对准双重图形制作方法，提供设有第一氧化层、非晶硅层及有机层的硅基底，按光刻胶图形刻蚀有机层及非晶硅层，将第一氧化层上表面暴露出，在非晶硅图形顶部和侧壁覆盖第一氮化硅层；刻蚀去除非晶硅图形顶部的第一氮化硅层，在非晶硅图形侧壁形成第一氮化硅侧壁图形；去除第一氮化硅侧壁图形间的非晶硅图形；定义鳍型晶体管形貌，刻蚀第一氧化层和硅基底形成核心图形，在核心图形上覆盖薄型氮化硅层；沉积第二氧化层并研磨至露出薄型氮化硅层为止；定义鳍型晶体管高度，对第二氧化层回刻至露出核心图形的高度满足所定义的鳍型晶体管高度为止；去除薄型氮化硅层；沉积第三氧化层以覆盖暴露的核心图形的顶部和侧壁。

本发明授权一种自对准双重图形制作方法在权利要求书中公布了：1.一种自对准双重图形制作方法，其特征在于，至少包括以下步骤：步骤一、提供硅基底，所述硅基底上设有第一氧化层；所述第一氧化层上设非晶硅层；所述非晶硅层上设有有机层；步骤二、使用掩膜板定义多晶硅关键尺寸，之后在所述有机层上悬涂光刻胶，并按照所述多晶硅关键尺寸形成光刻胶图形；步骤三、定义非晶硅图形的高度和关键尺寸，按照所述光刻胶图形刻蚀所述有机层及非晶硅层，刻蚀至将所述第一氧化层上表面暴露出，并形成具有所定义的高度和关键尺寸的所述非晶硅图形；步骤四、在所述非晶硅图形顶部和侧壁以及暴露出的所述第一氧化层上表面覆盖第一氮化硅层；步骤五、刻蚀去除所述非晶硅图形顶部的所述第一氮化硅层，将所述非晶硅图形顶部暴露出来，在所述非晶硅图形侧壁形成第一氮化硅侧壁图形；步骤六、去除所述第一氮化硅侧壁图形之间的所述非晶硅图形；步骤七、定义鳍型晶体管形貌，沿所述第一氮化硅侧壁图形刻蚀所述第一氧化层和所述硅基底，形成具有定义的所述鳍型晶体管形貌的硅基底的核心图形以及位于所述核心图形上的第一氧化层图形；步骤八、去除所述第一氧化层图形；步骤九、在所述核心图形上覆盖一层薄型氮化硅层；步骤十、沉积覆盖所述薄型氮化硅层并填充所述核心图形之间空隙的第二氧化层；步骤十一、研磨所述第二氧化层至露出所述核心图形顶部的所述薄型氮化硅层为止；步骤十二、定义鳍型晶体管高度，对所述第二氧化层进行回刻，刻蚀至露出所述核心图形的高度满足所定义的鳍型晶体管高度为止；步骤十三、去除露出的所述核心图形侧壁和顶部的薄型氮化硅层；步骤十四、沉积第三氧化层以覆盖暴露的所述核心图形的顶部和侧壁。

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